Carboneto de tântalo poroso, material de campo quente para crescimento de cristais de SiC

Pequena descrição:

O carboneto de tântalo poroso é usado principalmente para filtração de componentes em fase gasosa, ajustando o gradiente de temperatura local, orientando a direção do fluxo de material, controlando vazamentos, etc. Ele pode ser usado com outro carboneto de tântalo sólido (compacto) ou revestimento de carboneto de tântalo da Semicera Technology para formar componentes locais com condutância de fluxo diferente.

 


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Semicera A Semicera fornece revestimentos especializados de carboneto de tântalo (TaC) para vários componentes e transportadores.O processo de revestimento líder da Semicera Semicera permite que revestimentos de carboneto de tântalo (TaC) alcancem alta pureza, alta estabilidade de temperatura e alta tolerância química, melhorando a qualidade do produto de cristais SIC/GAN e camadas EPI (Susceptor TaC revestido de grafite) e prolongando a vida útil dos principais componentes do reator.O uso do revestimento TaC de carboneto de tântalo é para resolver o problema da borda e melhorar a qualidade do crescimento do cristal, e Semicera Semicera resolveu de forma inovadora a tecnologia de revestimento de carboneto de tântalo (CVD), atingindo o nível avançado internacional.

Após anos de desenvolvimento, a Semicera conquistou a tecnologia deTaC CVDcom os esforços conjuntos do departamento de P&D.Os defeitos são fáceis de ocorrer no processo de crescimento de wafers de SiC, mas depois de usarTaC, a diferença é significativa.Abaixo está uma comparação de wafers com e sem TaC, bem como peças Simicera para crescimento de cristal único

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com e sem TaC

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Depois de usar TaC (direita)

Além disso, a vida útil dos produtos de revestimento TaC da Semicera é mais longa e mais resistente a altas temperaturas do que a do revestimento SiC.Após um longo período de dados de medição em laboratório, nosso TaC pode funcionar por um longo período a no máximo 2.300 graus Celsius.A seguir estão algumas de nossas amostras:

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(a) Diagrama esquemático do dispositivo de cultivo de lingote de cristal único de SiC pelo método PVT (b) Suporte de sementes revestido com TaC superior (incluindo sementes de SiC) (c) Anel guia de grafite revestido com TAC

ZDFVzCFV
Característica principal
Local de trabalho semicera
Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
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