Substratos de carboneto de silício | Wafers de SiC

Substratos de carboneto de silício | Imagem em destaque de wafers de SiC

Pequena descrição:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. é um fornecedor líder especializado em wafer e consumíveis semicondutores avançados.Dedicamo-nos a fornecer produtos de alta qualidade, confiáveis e inovadores para fabricação de semicondutores, indústria fotovoltaica e outras áreas relacionadas.

Nossa linha de produtos inclui produtos de grafite revestidos com SiC/TaC e produtos cerâmicos, abrangendo vários materiais como carboneto de silício, nitreto de silício e óxido de alumínio e etc.

Atualmente, somos o único fabricante a fornecer revestimento de SiC com pureza de 99,9999% e carboneto de silício recristalizado com 99,9%.O comprimento máximo do revestimento de SiC que podemos fazer é de 2.640 mm.

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O material de cristal único de carboneto de silício (SiC) tem uma grande largura de banda (~Si 3 vezes), alta condutividade térmica (~Si 3,3 vezes ou GaAs 10 vezes), alta taxa de migração de saturação de elétrons (~Si 2,5 vezes), alta quebra elétrica campo (~Si 10 vezes ou GaAs 5 vezes) e outras características excepcionais.

Os dispositivos SiC têm vantagens insubstituíveis no campo de dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta pressão, alta frequência, alta potência e aplicações ambientais extremas, como aeroespacial, militar, energia nuclear, etc., compensam os defeitos dos dispositivos tradicionais de materiais semicondutores na prática aplicações e estão gradualmente se tornando a corrente principal dos semicondutores de potência.

Especificações do substrato de carboneto de silício 4H-SiC

Item项目	Especificações
Politipo 晶型	4H-SiC	6H- SiC
Diâmetro 晶圆直径	2 polegadas \|3 polegadas \|4 polegadas \|6 polegadas	2 polegadas \|3 polegadas \|4 polegadas \|6 polegadas
Grossura 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Condutividade 导电类型	N – tipo / Semi-isolante N型导电 foto/ foto de	N – tipo / Semi-isolante N型导电 foto/ foto de
Dopante 掺杂剂	N2 (nitrogênio) V (vanádio)	N2 (Nitrogênio) V (Vanádio)
Orientação 晶向	No eixo <0001> Fora do eixo <0001> desligado 4°	No eixo <0001> Fora do eixo <0001> desligado 4°
Resistividade 电阻率	0,015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (6H-N)
Densidade de microtubos (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Arco / Urdidura 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Superfície 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Nota 产品等级	Grau de produção/pesquisa	Grau de produção/pesquisa
Sequência de empilhamento de cristal 堆积方式	ABCB	ABCABC
Parâmetro de rede 晶格参数	a = 3,076A, c = 10,053A	a = 3,073A, c = 15,117A
Por exemplo/eV (banda gap) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε (constante dielétrica) 介电常数	9.6	9,66
Índice de refração foto	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Especificações do substrato de carboneto de silício 6H-SiC

Item项目	Especificações
Politipo 晶型	6H-SiC
Diâmetro 晶圆直径	4 polegadas \|6 polegadas
Grossura 厚度	350μm ~ 450μm
Condutividade 导电类型	N – tipo / Semi-isolante N型导电 foto/ foto de
Dopante 掺杂剂	N2 (nitrogênio) V (vanádio)
Orientação 晶向	<0001> desligado 4°± 0,5°
Resistividade 电阻率	0,02 ~ 0,1 ohm-cm (Tipo 6H-N)
Densidade de microtubos (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Arco / Urdidura 翘曲度	≤25 μm
Superfície 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready Face C: Polimento Óptico
Nota 产品等级	Nota de pesquisa