Os substratos de GaAs são divididos em condutores e semi-isolantes, que são amplamente utilizados em laser (LD), diodo emissor de luz semicondutor (LED), laser infravermelho próximo, laser de alta potência de poço quântico e painéis solares de alta eficiência.Chips HEMT e HBT para radar, micro-ondas, ondas milimétricas ou computadores de ultra-alta velocidade e comunicações ópticas;Dispositivos de radiofrequência para comunicação sem fio, 4G, 5G, comunicação via satélite, WLAN.
Recentemente, os substratos de arsenieto de gálio também fizeram grande progresso em mini-LED, Micro-LED e LED vermelho e são amplamente utilizados em dispositivos vestíveis AR/VR.
| Diâmetro | 50mm |75mm |100mm |150mm |
| Método de crescimento | LEC液封直拉法 |
| Espessura da bolacha | 350um ~ 625um |
| Orientação | <100> / <111> / <110> ou outros |
| Tipo condutor | P – tipo / N – tipo / Semi-isolante |
| Tipo/Dopante | Zn / Si / não dopado |
| Concentração de Transportadora | 1E17~5E19cm-3 |
| Resistividade em RT | ≥1E7 para SI |
| Mobilidade | ≥4000 |
| EPD (densidade do poço de gravação) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10um |
| Arco / Urdidura | ≤ 20um |
| Acabamento de superfície | DSP/SSP |
| Marca a laser |
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| Nota | Classe Epi polida / classe mecânica |
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