Tambor do reator epitaxial revestido com carboneto de silício SiC

Imagem em destaque do tambor do reator epitaxial revestido SiC de carboneto de silício

Pequena descrição:

A Semicera oferece uma ampla gama de susceptores e componentes de grafite projetados para vários reatores de epitaxia.

Por meio de parcerias estratégicas com OEMs líderes do setor, ampla experiência em materiais e recursos avançados de fabricação, a Semicera oferece projetos personalizados para atender aos requisitos específicos de sua aplicação.Nosso compromisso com a excelência garante que você receba soluções ideais para suas necessidades de reatores epitaxiais.

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Nossa empresa forneceRevestimento de SiCprocessar serviços na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais pelo método CVD, de modo que gases especiais contendo carbono e silício possam reagir em alta temperatura para obter moléculas Sic de alta pureza, que podem ser depositadas na superfície de materiais revestidos para formar umCamada protetora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.

Principais características:

1. Grafite revestida com SiC de alta pureza

2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica

3. Tudo bemCristal SiC revestidopara uma superfície lisa

4. Alta durabilidade contra limpeza química

Tambor do reator epitaxial revestido com carboneto de silício SiC

Principais especificações deRevestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD
Estrutura de cristal	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho de grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4,5
Condutividade térmica	(W/mK)	300