A epitaxia LED azul/verde da semicera oferece soluções de ponta para a fabricação de LED de alto desempenho. Projetada para suportar processos avançados de crescimento epitaxial, a tecnologia de epitaxia LED azul/verde da semicera aumenta a eficiência e a precisão na produção de LEDs azuis e verdes, essenciais para diversas aplicações optoeletrônicas. Utilizando Si Epitaxy e SiC Epitaxy de última geração, esta solução garante excelente qualidade e durabilidade.
No processo de fabricação, o Susceptor MOCVD desempenha um papel crucial, juntamente com componentes como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, que otimizam o ambiente de crescimento epitaxial. A epitaxia de LED azul/verde da Semicera foi projetada para fornecer suporte estável para Susceptor Epitaxial de LED, Susceptor de Barril e Silício Monocristalino, garantindo a produção de resultados consistentes e de alta qualidade.
Este processo de epitaxia é vital para a criação de peças fotovoltaicas e oferece suporte a aplicações como GaN em SiC Epitaxy, melhorando a eficiência geral dos semicondutores. Seja em uma configuração Pancake Susceptor ou usada em outras configurações avançadas, as soluções de epitaxia de LED azul/verde da semicera oferecem desempenho confiável, ajudando os fabricantes a atender à crescente demanda por componentes de LED de alta qualidade.
Principais características:
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Principais especificações deRevestimento CVD-SIC
| Propriedades SiC-CVD | ||
| Estrutura Cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | μm | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
| Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
