Epitaxia SiC

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A Weitai oferece epitaxia SiC de filme fino personalizado (carboneto de silício) em substratos para o desenvolvimento de dispositivos de carboneto de silício.A Weitai está comprometida em fornecer produtos de qualidade e preços competitivos e esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Epitaxia de SiC (2)(1)

Descrição do produto

4h-n 4 polegadas 6 polegadas dia100mm sic semente wafer 1mm de espessura para crescimento de lingote

Tamanho personalizado / 2 polegadas / 3 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N lingotes SIC / Alta pureza 4H-N 4 polegadas 6 polegadas de diâmetro 150 mm de carboneto de silício de cristal único (sic) wafers de substratosS / wafers sic personalizados como cortadosProdução 4 polegadas Wafers SIC de grau 4H-N 1,5 mm para cristal de semente

Sobre o cristal de carboneto de silício (SiC)

O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC.O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam em altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos. O SiC também é um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e também serve como dissipador de calor em altas temperaturas. LEDs de energia.

Descrição

Propriedade

4H-SiC, Cristal Único

6H-SiC, Cristal Único

Parâmetros de rede

a = 3,076 Å c = 10,053 Å

a = 3,073 Å c = 15,117 Å

Sequência de empilhamento

ABCB

ABCACB

Dureza de Mohs

≈9,2

≈9,2

Densidade

3,21g/cm3

3,21g/cm3

Termo.Coeficiente de Expansão

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

Índice de refração @750nm

não = 2,61
ne = 2,66

não = 2,60
ne = 2,65

Constante dielétrica

c~9,66

c~9,66

Condutividade Térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

 

Condutividade Térmica (Semi-isolante)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

Intervalo de banda

3,23 eV

3,02 eV

Campo Elétrico de Quebra

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

Velocidade de deriva de saturação

2,0×105m/s

2,0×105m/s

Bolachas de SiC

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