de SemíceraEpitaxia de carboneto de silíciofoi projetado para atender às rigorosas demandas das aplicações modernas de semicondutores. Ao utilizar técnicas avançadas de crescimento epitaxial, garantimos que cada camada de carboneto de silício apresente excepcional qualidade cristalina, uniformidade e densidade mínima de defeitos. Estas características são cruciais para o desenvolvimento de eletrônica de potência de alto desempenho, onde a eficiência e o gerenciamento térmico são fundamentais.
OEpitaxia de carboneto de silícioO processo da Semicera é otimizado para produzir camadas epitaxiais com espessura precisa e controle de dopagem, garantindo desempenho consistente em uma variedade de dispositivos. Este nível de precisão é essencial para aplicações em veículos eléctricos, sistemas de energia renovável e comunicações de alta frequência, onde a fiabilidade e a eficiência são críticas.
Além disso, a SemiceraEpitaxia de carboneto de silíciooferece condutividade térmica aprimorada e tensão de ruptura mais alta, tornando-o a escolha preferida para dispositivos que operam sob condições extremas. Essas propriedades contribuem para uma vida útil mais longa do dispositivo e para uma melhor eficiência geral do sistema, especialmente em ambientes de alta potência e alta temperatura.
Semicera também oferece opções de personalização paraEpitaxia de carboneto de silício, permitindo soluções personalizadas que atendem aos requisitos específicos do dispositivo. Seja para pesquisa ou produção em larga escala, nossas camadas epitaxiais são projetadas para suportar a próxima geração de inovações em semicondutores, permitindo o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos mais potentes, eficientes e confiáveis.
Ao integrar tecnologia de ponta e rigorosos processos de controle de qualidade, a Semicera garante que nossosEpitaxia de carboneto de silícioos produtos não apenas atendem, mas também excedem os padrões da indústria. Esse compromisso com a excelência faz de nossas camadas epitaxiais a base ideal para aplicações avançadas de semicondutores, abrindo caminho para avanços em eletrônica de potência e optoeletrônica.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
