de SemíceraPás de SiCsão projetados para expansão térmica mínima, proporcionando estabilidade e precisão em processos onde a precisão dimensional é crítica. Isto os torna ideais para aplicações ondebolachassão submetidos a repetidos ciclos de aquecimento e resfriamento, pois o barco wafer mantém sua integridade estrutural, garantindo um desempenho consistente.
Incorporando Semicerapás de difusão de carboneto de silícioem sua linha de produção aumentarão a confiabilidade do seu processo, graças às suas propriedades térmicas e químicas superiores. Essas pás são perfeitas para processos de difusão, oxidação e recozimento, garantindo que os wafers sejam manuseados com cuidado e precisão em cada etapa.
A inovação está no centro da atuação da SemiceraRemo de SiCprojeto. Essas pás são adaptadas para se adaptarem perfeitamente aos equipamentos semicondutores existentes, proporcionando maior eficiência de manuseio. A estrutura leve e o design ergonômico não apenas melhoram o transporte dos wafers, mas também reduzem o tempo de inatividade operacional, resultando em uma produção simplificada.
| Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
| Propriedade | Valor típico |
| Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
| Conteúdo SiC | > 99,96% |
| Conteúdo Si grátis | <0,1% |
| Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
| Porosidade aparente | <16% |
| Força de compressão | > 600MPa |
| Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
| Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
| Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
| Módulo elástico | 240 GPa |
| Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |
