Semíceraapresenta sua alta qualidadeSi Epitaxiaserviços, projetados para atender aos padrões exigentes da indústria de semicondutores atual. As camadas de silício epitaxiais são essenciais para o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos eletrônicos, e nossas soluções Si Epitaxy garantem que seus componentes obtenham funcionalidade ideal.
Camadas de silício cultivadas com precisão Semíceraentende que a base dos dispositivos de alto desempenho está na qualidade dos materiais utilizados. NossoSi Epitaxiao processo é meticulosamente controlado para produzir camadas de silício com uniformidade e integridade de cristal excepcionais. Essas camadas são essenciais para aplicações que vão desde microeletrônica até dispositivos de energia avançados, onde consistência e confiabilidade são fundamentais.
Otimizado para desempenho do dispositivoOSi Epitaxiaos serviços oferecidos pela Semicera são adaptados para aprimorar as propriedades elétricas de seus dispositivos. Ao desenvolver camadas de silício de alta pureza com baixas densidades de defeitos, garantimos que seus componentes tenham o melhor desempenho, com maior mobilidade do transportador e resistividade elétrica minimizada. Esta otimização é crítica para alcançar as características de alta velocidade e eficiência exigidas pela tecnologia moderna.
Versatilidade em Aplicações SemíceradeSi Epitaxiaé adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo a produção de transistores CMOS, MOSFETs de potência e transistores de junção bipolar. Nosso processo flexível permite a personalização com base nos requisitos específicos do seu projeto, quer você precise de camadas finas para aplicações de alta frequência ou camadas mais espessas para dispositivos de energia.
Qualidade de material superiorA qualidade está no centro de tudo o que fazemos na Semicera. NossoSi EpitaxiaO processo utiliza equipamentos e técnicas de última geração para garantir que cada camada de silício atenda aos mais altos padrões de pureza e integridade estrutural. Esta atenção aos detalhes minimiza a ocorrência de defeitos que poderiam afetar o desempenho do dispositivo, resultando em componentes mais confiáveis e duradouros.
Compromisso com a Inovação Semíceraestá empenhada em permanecer na vanguarda da tecnologia de semicondutores. NossoSi Epitaxiaos serviços refletem esse compromisso, incorporando os mais recentes avanços em técnicas de crescimento epitaxial. Refinamos continuamente nossos processos para fornecer camadas de silício que atendam às crescentes necessidades da indústria, garantindo que seus produtos permaneçam competitivos no mercado.
Soluções sob medida para suas necessidadesEntendendo que cada projeto é único,Semíceraofertas personalizadasSi Epitaxiasoluções para atender às suas necessidades específicas. Quer você precise de perfis de dopagem, espessuras de camada ou acabamentos de superfície específicos, nossa equipe trabalha em estreita colaboração com você para fornecer um produto que atenda às suas especificações precisas.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |