Si Epitaxia

Breve descrição:

Si Epitaxia– Obtenha desempenho superior do dispositivo com Si Epitaxy da Semicera, oferecendo camadas de silício cultivadas com precisão para aplicações avançadas de semicondutores.


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Semíceraapresenta sua alta qualidadeSi Epitaxiaserviços, projetados para atender aos padrões exigentes da indústria de semicondutores atual. As camadas de silício epitaxiais são essenciais para o desempenho e a confiabilidade dos dispositivos eletrônicos, e nossas soluções Si Epitaxy garantem que seus componentes obtenham funcionalidade ideal.

Camadas de silício cultivadas com precisão Semíceraentende que a base dos dispositivos de alto desempenho está na qualidade dos materiais utilizados. NossoSi Epitaxiao processo é meticulosamente controlado para produzir camadas de silício com uniformidade e integridade de cristal excepcionais. Essas camadas são essenciais para aplicações que vão desde microeletrônica até dispositivos de energia avançados, onde consistência e confiabilidade são fundamentais.

Otimizado para desempenho do dispositivoOSi Epitaxiaos serviços oferecidos pela Semicera são adaptados para melhorar as propriedades elétricas de seus dispositivos. Ao desenvolver camadas de silício de alta pureza com baixas densidades de defeitos, garantimos que seus componentes tenham o melhor desempenho, com melhor mobilidade do portador e resistividade elétrica minimizada. Esta otimização é crítica para alcançar as características de alta velocidade e eficiência exigidas pela tecnologia moderna.

Versatilidade em Aplicações SemíceradeSi Epitaxiaé adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo a produção de transistores CMOS, MOSFETs de potência e transistores de junção bipolar. Nosso processo flexível permite a personalização com base nos requisitos específicos do seu projeto, quer você precise de camadas finas para aplicações de alta frequência ou camadas mais espessas para dispositivos de energia.

Qualidade de material superiorA qualidade está no centro de tudo o que fazemos na Semicera. NossoSi EpitaxiaO processo utiliza equipamentos e técnicas de última geração para garantir que cada camada de silício atenda aos mais altos padrões de pureza e integridade estrutural. Esta atenção aos detalhes minimiza a ocorrência de defeitos que poderiam afetar o desempenho do dispositivo, resultando em componentes mais confiáveis ​​e duradouros.

Compromisso com a Inovação Semíceraestá empenhada em permanecer na vanguarda da tecnologia de semicondutores. NossoSi Epitaxiaos serviços refletem esse compromisso, incorporando os mais recentes avanços em técnicas de crescimento epitaxial. Refinamos continuamente nossos processos para fornecer camadas de silício que atendam às crescentes necessidades da indústria, garantindo que seus produtos permaneçam competitivos no mercado.

Soluções sob medida para suas necessidadesEntendendo que cada projeto é único,Semíceraofertas personalizadasSi Epitaxiasoluções para atender às suas necessidades específicas. Quer você precise de perfis de dopagem, espessuras de camada ou acabamentos de superfície específicos, nossa equipe trabalha em estreita colaboração com você para fornecer um produto que atenda às suas especificações precisas.

Unid

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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