Semicera apresenta produtos personalizados de alta qualidadepás cantilever de carboneto de silíciocriado para elevar os processos de fabricação de semicondutores. O inovadorRemo de SiCO design garante durabilidade excepcional e alta resistência térmica, tornando-o um componente essencial para o manuseio de wafers em ambientes desafiadores de alta temperatura.
OPá de carboneto de silíciofoi construído para suportar ciclos térmicos extremos, mantendo a integridade estrutural, garantindo o transporte confiável de wafers durante fases críticas da produção de semicondutores. Com resistência mecânica superior, estebarco de waferminimiza o risco de danos aos wafers, levando a rendimentos mais elevados e qualidade de produção consistente.
Uma das principais inovações no remo SiC da Semicera está em suas opções de design personalizado. Adaptada para atender às necessidades específicas de produção, a pá oferece flexibilidade na integração com diversas configurações de equipamentos, tornando-a uma solução ideal para processos de fabricação modernos. A construção leve, porém robusta, permite fácil manuseio e reduz o tempo de inatividade operacional, contribuindo para melhorar a eficiência na produção de semicondutores.
Além de suas propriedades térmicas e mecânicas, oPá de carboneto de silíciooferece excelente resistência química, permitindo um desempenho confiável mesmo em ambientes químicos agressivos. Isso o torna particularmente adequado para uso em processos que envolvem gravação, deposição e tratamento em alta temperatura, onde a manutenção da integridade do barco wafer é crucial para garantir resultados de alta qualidade.
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
Propriedade | Valor típico |
Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
Conteúdo SiC | > 99,96% |
Conteúdo Si grátis | <0,1% |
Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
Porosidade aparente | <16% |
Força de compressão | > 600MPa |
Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |