Substratos de nitreto de gálio | Wafers GaN

Substratos de nitreto de gálio | Imagem em destaque de wafers GaN

Breve descrição:

O nitreto de gálio (GaN), assim como os materiais de carboneto de silício (SiC), pertence à terceira geração de materiais semicondutores com ampla largura de banda, com grande largura de banda, alta condutividade térmica, alta taxa de migração de saturação de elétrons e alto campo elétrico de ruptura excelente. características.Os dispositivos GaN têm uma ampla gama de perspectivas de aplicação em campos de alta frequência, alta velocidade e alta demanda de energia, como iluminação LED de economia de energia, exibição de projeção a laser, novos veículos de energia, rede inteligente e comunicação 5G.

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Os materiais semicondutores de terceira geração incluem principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque sua largura de banda larga (por exemplo) é maior ou igual a 2,3 elétron-volts (eV), também conhecidos como materiais semicondutores de banda larga. Em comparação com os materiais semicondutores de primeira e segunda geração, os materiais semicondutores de terceira geração têm as vantagens de alta condutividade térmica, alto campo elétrico de ruptura, alta taxa de migração de elétrons saturados e alta energia de ligação, que podem atender aos novos requisitos da tecnologia eletrônica moderna para alta temperatura, alta potência, alta pressão, alta frequência e resistência à radiação e outras condições adversas. Tem importantes perspectivas de aplicação nas áreas de defesa nacional, aviação, aeroespacial, exploração de petróleo, armazenamento óptico, etc., e pode reduzir a perda de energia em mais de 50% em muitas indústrias estratégicas, como comunicações de banda larga, energia solar, fabricação de automóveis, iluminação de semicondutores e rede inteligente, e pode reduzir o volume de equipamentos em mais de 75%, o que é de grande importância para o desenvolvimento da ciência e tecnologia humanas.

Item	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Diâmetro 晶圆直径	50,8±1mm
Grossura厚度	350 ± 25 μm
Orientação 晶向	Plano C (0001) fora do ângulo em direção ao eixo M 0,35 ± 0,15°
Apartamento Prime 主定位边	(1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm
Plano Secundário 次定位边	(11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1mm
Condutividade 导电性	Tipo N	Tipo N	Semi-Isolante
Resistividade (300K) 电阻率	< 0,1Ω·cm	< 0,05Ω·cm	> 106Ω·cm
TTV 平整度	≤ 15 μm
ARCO 弯曲度	≤ 20 μm
Rugosidade da superfície da face Ga Ga面粗糙度	< 0,2 nm (polido);
	ou < 0,3 nm (polimento e tratamento de superfície para epitaxia)
Rugosidade da superfície da face N N面粗糙度	0,5 ~1,5 μm
	opção: 1~3 nm (terra fina); <0,2 nm (polido)
Densidade de Luxação 位错密度	De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)*
Densidade de macrodefeitos 缺陷密度	< 2 cm-2
Área Útil 有效面积	> 90% (exclusão de defeitos de borda e macro)
Pode ser personalizado de acordo com as necessidades do cliente, estrutura diferente de silício, safira, folha epitaxial GaN baseada em SiC.