Semíceraorgulhosamente ofereceGa2O3Epitaxia, uma solução de última geração projetada para ampliar os limites da eletrônica de potência e da optoeletrônica. Esta tecnologia epitaxial avançada aproveita as propriedades únicas do Óxido de Gálio (Ga2O3) para oferecer desempenho superior em aplicações exigentes.
Principais recursos:
• Amplo Bandgap Excepcional: Ga2O3Epitaxiaapresenta um bandgap ultra-amplo, permitindo tensões de ruptura mais altas e operação eficiente em ambientes de alta potência.
•Alta condutividade térmica: A camada epitaxial proporciona excelente condutividade térmica, garantindo operação estável mesmo sob condições de alta temperatura, tornando-a ideal para dispositivos de alta frequência.
•Qualidade de material superior: Obtenha cristal de alta qualidade com defeitos mínimos, garantindo desempenho e longevidade ideais do dispositivo, especialmente em aplicações críticas, como transistores de potência e detectores UV.
•Versatilidade em Aplicações: Perfeitamente adequado para eletrônica de potência, aplicações de RF e optoeletrônica, fornecendo uma base confiável para dispositivos semicondutores de próxima geração.
Descubra o potencial deGa2O3Epitaxiacom as soluções inovadoras da Semicera. Nossos produtos epitaxiais são projetados para atender aos mais altos padrões de qualidade e desempenho, permitindo que seus dispositivos operem com máxima eficiência e confiabilidade. Escolha Semicera para tecnologia de semicondutores de ponta.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
