Wafer Epi GaN-on-Si de alta potência 850V

Breve descrição:

Wafer Epi GaN-on-Si de alta potência 850V– Descubra a próxima geração de tecnologia de semicondutores com o Epi Wafer GaN-on-Si de alta potência de 850V da Semicera, projetado para desempenho e eficiência superiores em aplicações de alta tensão.


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Semíceraapresenta oWafer Epi GaN-on-Si de alta potência 850V, um avanço na inovação de semicondutores. Este epi wafer avançado combina a alta eficiência do nitreto de gálio (GaN) com a relação custo-benefício do silício (Si), criando uma solução poderosa para aplicações de alta tensão.

Principais recursos:

Manuseio de alta tensão: Projetado para suportar até 850 V, este Epi Wafer GaN-on-Si é ideal para eletrônicos de potência exigentes, permitindo maior eficiência e desempenho.

Densidade de potência aprimorada: Com mobilidade eletrônica e condutividade térmica superiores, a tecnologia GaN permite designs compactos e maior densidade de potência.

Solução econômica: Ao aproveitar o silício como substrato, este epi wafer oferece uma alternativa econômica aos wafers GaN tradicionais, sem comprometer a qualidade ou o desempenho.

Ampla gama de aplicações: Perfeito para uso em conversores de energia, amplificadores de RF e outros dispositivos eletrônicos de alta potência, garantindo confiabilidade e durabilidade.

Explore o futuro da tecnologia de alta tensão com o SemiceraWafer Epi GaN-on-Si de alta potência 850V. Projetado para aplicações de ponta, este produto garante que seus dispositivos eletrônicos operem com máxima eficiência e confiabilidade. Escolha Semicera para suas necessidades de semicondutores de próxima geração.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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