Wafer de ligação LiNbO3 de 6 polegadas

Breve descrição:

O wafer ligado a LiNbO3 de 6 polegadas da Semicera é ideal para processos avançados de ligação em dispositivos optoeletrônicos, MEMS e circuitos integrados (ICs). Com suas características de ligação superiores, é ideal para obter alinhamento e integração precisos de camadas, garantindo o desempenho e a eficiência de dispositivos semicondutores. A alta pureza do wafer minimiza a contaminação, tornando-o uma escolha confiável para aplicações que exigem a mais alta precisão.


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O Wafer de ligação LiNbO3 de 6 polegadas da Semicera foi projetado para atender aos rigorosos padrões da indústria de semicondutores, oferecendo desempenho incomparável em ambientes de pesquisa e produção. Seja para optoeletrônica de ponta, MEMS ou embalagens avançadas de semicondutores, esse wafer de ligação oferece a confiabilidade e a durabilidade necessárias para o desenvolvimento de tecnologia de ponta.

Na indústria de semicondutores, o Wafer de ligação LiNbO3 de 6 polegadas é amplamente utilizado para unir camadas finas em dispositivos optoeletrônicos, sensores e sistemas microeletromecânicos (MEMS). Suas propriedades excepcionais o tornam um componente valioso para aplicações que exigem integração precisa de camadas, como na fabricação de circuitos integrados (ICs) e dispositivos fotônicos. A alta pureza do wafer garante que o produto final mantenha um desempenho ideal, minimizando o risco de contaminação que poderia afetar a confiabilidade do dispositivo.

Propriedades térmicas e elétricas do LiNbO3
Ponto de fusão 1250 ℃
Temperatura curie 1140 ℃
Condutividade térmica 38 W/m/K @ 25 ℃
Coeficiente de expansão térmica (@ 25°C)

//a,2,0×10-6/K

//c,2,2×10-6/K

Resistividade 2x10-6Ω·cm @ 200 ℃
Constante dielétrica

εS11/ε0=43,εT11/ε0=78

εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2

Constante piezoelétrica

D22=2,04×10-11C/N

D33=19,22×10-11C/N

Coeficiente eletro-óptico

γT33=32h/V, γS33=31h/V,

γT31=22h/V, γS31=20h6/V,

γT22=18,8 pm/V, γS22=15h40/V,

Tensão de meia onda, CC
Campo elétrico // z, luz ⊥ Z;
Campo elétrico // x ou y, luz ⊥ z

3,03 quilovolts

4,02 quilovolts

O Wafer de ligação LiNbO3 de 6 polegadas da Semicera foi projetado especificamente para aplicações avançadas nas indústrias de semicondutores e optoeletrônica. Conhecido por sua resistência superior ao desgaste, alta estabilidade térmica e pureza excepcional, esse wafer de ligação é ideal para a fabricação de semicondutores de alto desempenho, oferecendo confiabilidade e precisão duradouras, mesmo em condições exigentes.

Fabricado com tecnologia de ponta, o Wafer de ligação LiNbO3 de 6 polegadas garante contaminação mínima, o que é crucial para processos de produção de semicondutores que exigem altos níveis de pureza. Sua excelente estabilidade térmica permite suportar temperaturas elevadas sem comprometer a integridade estrutural, tornando-o uma escolha confiável para aplicações de colagem em altas temperaturas. Além disso, a excelente resistência ao desgaste do wafer garante um desempenho consistente durante o uso prolongado, proporcionando durabilidade a longo prazo e reduzindo a necessidade de substituições frequentes.

Local de trabalho semicera
Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
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