Semíceraorgulhosamente apresenta seuSubstratos de óxido de gálio de 4", um material inovador projetado para atender às crescentes demandas de dispositivos semicondutores de alto desempenho. Óxido de gálio (Ga2O3) oferecem um bandgap ultra-amplo, tornando-os ideais para eletrônica de potência de próxima geração, optoeletrônica UV e dispositivos de alta frequência.
Principais recursos:
• Bandgap ultra-amplo: OSubstratos de óxido de gálio de 4"possuem um bandgap de aproximadamente 4,8 eV, permitindo tolerância excepcional de tensão e temperatura, superando significativamente os materiais semicondutores tradicionais como o silício.
•Alta tensão de ruptura: Esses substratos permitem que os dispositivos operem em tensões e potências mais altas, tornando-os perfeitos para aplicações de alta tensão em eletrônica de potência.
•Estabilidade Térmica Superior: Os substratos de óxido de gálio oferecem excelente condutividade térmica, garantindo desempenho estável sob condições extremas, ideais para uso em ambientes exigentes.
•Alta qualidade de materiais: Com baixas densidades de defeitos e alta qualidade de cristal, esses substratos garantem desempenho confiável e consistente, aumentando a eficiência e a durabilidade dos seus dispositivos.
•Aplicação versátil: Adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo transistores de potência, diodos Schottky e dispositivos LED UV-C, permitindo inovações nos campos de potência e optoeletrônicos.
Explore o futuro da tecnologia de semicondutores com o SemiceraSubstratos de óxido de gálio de 4". Nossos substratos são projetados para suportar as aplicações mais avançadas, proporcionando a confiabilidade e a eficiência necessárias para os dispositivos de última geração da atualidade. Confie na Semicera pela qualidade e inovação em seus materiais semicondutores.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
