Semicera apresenta oPorta cassetes de wafer, uma solução crítica para o manuseio seguro e eficiente de wafers semicondutores. Este transportador foi projetado para atender aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores, garantindo a proteção e integridade de seus wafers durante todo o processo de fabricação.
Principais recursos:
•Construção robusta:OPorta cassetes de waferé construído com materiais duráveis e de alta qualidade que suportam os rigores dos ambientes de semicondutores, fornecendo proteção confiável contra contaminação e danos físicos.
•Alinhamento preciso:Projetado para alinhamento preciso dos wafers, este transportador garante que os wafers sejam mantidos com segurança no lugar, minimizando o risco de desalinhamento ou danos durante o transporte.
•Fácil manuseio:Ergonomicamente projetado para facilidade de uso, o transportador simplifica o processo de carga e descarga, melhorando a eficiência do fluxo de trabalho em ambientes de salas limpas.
•Compatibilidade:Compatível com uma ampla variedade de tamanhos e tipos de wafer, tornando-o versátil para diversas necessidades de fabricação de semicondutores.
Experimente proteção e conveniência incomparáveis com o SemiceraPorta cassetes de wafer. Nosso transportador foi projetado para atender aos mais altos padrões de fabricação de semicondutores, garantindo que seus wafers permaneçam em perfeitas condições do início ao fim. Confie na Semicera para fornecer a qualidade e a confiabilidade que você precisa para seus processos mais críticos.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
