Anel CVD SiC sólido

Breve descrição:

Os anéis sólidos CVD SiC são compostos principalmente de carboneto de silício (SiC) e possuem excelentes propriedades físicas e químicas. O carboneto de silício é um material cerâmico com alto ponto de fusão, alta dureza e excelente resistência à corrosão. Apresenta excelente condutividade térmica, estabilidade química e resistência mecânica em altas temperaturas, além de excelente resistência ao desgaste e à abrasão.

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Por que é o anel sólido CVD SiC?

Anéis sólidos CVD SiCsão amplamente utilizados em campos industriais e científicos em ambientes de alta temperatura, corrosivos e abrasivos. Desempenha um papel importante em múltiplas áreas de aplicação, incluindo:

1. Fabricação de semicondutores:Anéis sólidos CVD SiCpode ser usado para aquecimento e resfriamento de equipamentos semicondutores, proporcionando controle de temperatura estável para garantir a precisão e consistência do processo.

2. Optoeletrônica: Devido à sua excelente condutividade térmica e resistência a altas temperaturas,Anéis sólidos CVD SiCpodem ser usados como materiais de suporte e dissipação de calor para lasers, equipamentos de comunicação de fibra óptica e componentes ópticos.

3. Máquinas de precisão: Os anéis sólidos CVD SiC podem ser usados para instrumentos e equipamentos de precisão em ambientes corrosivos e de alta temperatura, como fornos de alta temperatura, dispositivos de vácuo e reatores químicos.

4. Indústria química: Os anéis sólidos CVD SiC podem ser usados em recipientes, tubos e reatores em reações químicas e processos catalíticos devido à sua resistência à corrosão e estabilidade química.

Nossa vantagem, por que escolher a Semicera?

✓Qualidade superior no mercado chinês

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Aplicativo

Susceptor de Crescimento Epitaxia

Os wafers de silício/carboneto de silício precisam passar por vários processos para serem usados em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício/sic, na qual wafers de silício/sic são transportados sobre uma base de grafite. As vantagens especiais da base de grafite revestida com carboneto de silício da Semicera incluem pureza extremamente alta, revestimento uniforme e vida útil extremamente longa. Eles também possuem alta resistência química e estabilidade térmica.

Susceptor de Epitaxia de Silício

Susceptor de Epitaxia de Carboneto de Silício

Produção de chips LED

Durante o extenso revestimento do reator MOCVD, a base ou transportador planetário move o wafer do substrato. O desempenho do material base tem grande influência na qualidade do revestimento, o que por sua vez afeta a taxa de refugo do cavaco. A base revestida de carboneto de silício da Semicera aumenta a eficiência de fabricação de wafers de LED de alta qualidade e minimiza o desvio de comprimento de onda. Também fornecemos componentes adicionais de grafite para todos os reatores MOCVD atualmente em uso. Podemos revestir quase qualquer componente com um revestimento de carboneto de silício, mesmo que o diâmetro do componente seja de até 1,5M, ainda podemos revestir com carboneto de silício.

Susceptor de Epitaxia LED

Campo Semicondutor, Processo de Difusão de Oxidação, etc.

No processo de semicondutores, o processo de expansão por oxidação requer alta pureza do produto, e na Semicera oferecemos serviços de revestimento personalizado e CVD para a maioria das peças de carboneto de silício.

A imagem a seguir mostra a pasta de carboneto de silício processada em bruto de Semicea e o tubo do forno de carboneto de silício que é limpo no 1000-nívellivre de poeirasala. Nossos trabalhadores estão trabalhando antes do revestimento. A pureza do nosso carboneto de silício pode chegar a 99,99% e a pureza do revestimento sic é superior a 99,99995%.