Silício de wafer SOI no isolador

Breve descrição:

O Wafer SOI (Silicon On Insulator) da Semicera fornece isolamento elétrico e desempenho excepcionais para aplicações avançadas de semicondutores. Projetados para eficiência térmica e elétrica superior, esses wafers são ideais para circuitos integrados de alto desempenho. Escolha Semicera pela qualidade e confiabilidade na tecnologia de wafer SOI.


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O Wafer SOI (Silicon On Insulator) da Semicera foi projetado para fornecer isolamento elétrico e desempenho térmico superiores. Esta estrutura inovadora de wafer, com uma camada de silício sobre uma camada isolante, garante melhor desempenho do dispositivo e redução do consumo de energia, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações de alta tecnologia.

Nossos wafers SOI oferecem benefícios excepcionais para circuitos integrados, minimizando a capacitância parasita e melhorando a velocidade e a eficiência do dispositivo. Isto é crucial para a eletrónica moderna, onde o elevado desempenho e a eficiência energética são essenciais para aplicações de consumo e industriais.

Semicera emprega técnicas avançadas de fabricação para produzir wafers SOI com qualidade e confiabilidade consistentes. Esses wafers proporcionam excelente isolamento térmico, tornando-os adequados para uso em ambientes onde a dissipação de calor é uma preocupação, como em dispositivos eletrônicos de alta densidade e sistemas de gerenciamento de energia.

O uso de wafers SOI na fabricação de semicondutores permite o desenvolvimento de chips menores, mais rápidos e mais confiáveis. O compromisso da Semicera com a engenharia de precisão garante que nossos wafers SOI atendam aos altos padrões exigidos para tecnologias de ponta em áreas como telecomunicações, automotiva e eletrônicos de consumo.

Escolher o SOI Wafer da Semicera significa investir em um produto que apoie o avanço das tecnologias eletrônicas e microeletrônicas. Nossos wafers são projetados para proporcionar melhor desempenho e durabilidade, contribuindo para o sucesso de seus projetos de alta tecnologia e garantindo que você permaneça na vanguarda da inovação.

Unid

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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