Os substratos lisos de cerâmica SiN da Semicera fornecem uma solução de alto desempenho para uma variedade de aplicações eletrônicas e industriais. Conhecidos pela sua excelente condutividade térmica e resistência mecânica, estes substratos garantem uma operação confiável em ambientes exigentes.
Nossas cerâmicas SiN (nitreto de silício) são projetadas para lidar com temperaturas extremas e condições de alto estresse, tornando-as adequadas para eletrônicos de alta potência e dispositivos semicondutores avançados. Sua durabilidade e resistência ao choque térmico os tornam ideais para uso em aplicações onde a confiabilidade e o desempenho são críticos.
Os processos de fabricação precisos da Semicera garantem que cada substrato liso atenda a rigorosos padrões de qualidade. Isso resulta em substratos com espessura e qualidade de superfície consistentes, essenciais para alcançar o desempenho ideal em montagens e sistemas eletrônicos.
Além de suas vantagens térmicas e mecânicas, os substratos lisos de cerâmica SiN oferecem excelentes propriedades de isolamento elétrico. Isto garante interferência elétrica mínima e contribui para a estabilidade e eficiência geral dos componentes eletrônicos, aumentando sua vida útil operacional.
Ao selecionar os substratos lisos de cerâmica SiN da Semicera, você está escolhendo um produto que combina ciência de materiais avançada com fabricação de primeira linha. Nosso compromisso com a qualidade e a inovação garante que você receba substratos que atendam aos mais altos padrões da indústria e apoiem o sucesso de seus projetos de tecnologia avançada.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
