Bolacha de Silício

Breve descrição:

Os Wafers de Silício Semicera são a base dos dispositivos semicondutores modernos, oferecendo pureza e precisão incomparáveis. Projetados para atender às rigorosas demandas das indústrias de alta tecnologia, esses wafers garantem desempenho confiável e qualidade consistente. Confie na Semicera para suas aplicações eletrônicas de ponta e soluções tecnológicas inovadoras.


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Os Wafers de Silício Semicera são meticulosamente elaborados para servir como base para uma ampla gama de dispositivos semicondutores, de microprocessadores a células fotovoltaicas. Esses wafers são projetados com alta precisão e pureza, garantindo desempenho ideal em diversas aplicações eletrônicas.

Fabricados usando técnicas avançadas, os Wafers de Silício Semicera exibem planicidade e uniformidade excepcionais, que são cruciais para alcançar altos rendimentos na fabricação de semicondutores. Este nível de precisão ajuda a minimizar defeitos e a melhorar a eficiência geral dos componentes eletrônicos.

A qualidade superior dos Wafers de Silício Semicera é evidente em suas características elétricas, que contribuem para o melhor desempenho dos dispositivos semicondutores. Com baixos níveis de impurezas e alta qualidade de cristal, esses wafers fornecem a plataforma ideal para o desenvolvimento de eletrônicos de alto desempenho.

Disponíveis em vários tamanhos e especificações, os Wafers de Silício Semicera podem ser adaptados para atender às necessidades específicas de diferentes setores, incluindo computação, telecomunicações e energia renovável. Seja para fabricação em larga escala ou para pesquisa especializada, esses wafers oferecem resultados confiáveis.

A Semicera está comprometida em apoiar o crescimento e a inovação da indústria de semicondutores, fornecendo wafers de silício de alta qualidade que atendem aos mais altos padrões da indústria. Com foco na precisão e confiabilidade, a Semicera permite que os fabricantes ultrapassem os limites da tecnologia, garantindo que seus produtos permaneçam na vanguarda do mercado.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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