Os substratos de silício Semicera são elaborados para atender às rigorosas demandas da indústria de semicondutores, oferecendo qualidade e precisão incomparáveis. Esses substratos fornecem uma base confiável para diversas aplicações, desde circuitos integrados até células fotovoltaicas, garantindo ótimo desempenho e longevidade.
A alta pureza dos substratos de silício Semicera garante defeitos mínimos e características elétricas superiores, que são essenciais para a produção de componentes eletrônicos de alta eficiência. Este nível de pureza ajuda a reduzir a perda de energia e a melhorar a eficiência geral dos dispositivos semicondutores.
Semicera emprega técnicas de fabricação de última geração para produzir substratos de silício com uniformidade e planicidade excepcionais. Essa precisão é essencial para alcançar resultados consistentes na fabricação de semicondutores, onde mesmo a menor variação pode afetar o desempenho e o rendimento do dispositivo.
Disponível em uma variedade de tamanhos e especificações, os substratos de silício Semicera atendem a uma ampla gama de necessidades industriais. Esteja você desenvolvendo microprocessadores ou painéis solares de última geração, esses substratos fornecem a flexibilidade e a confiabilidade necessárias para sua aplicação específica.
A Semicera se dedica a apoiar a inovação e a eficiência na indústria de semicondutores. Ao fornecer substratos de silício de alta qualidade, permitimos que os fabricantes ultrapassem os limites da tecnologia, fornecendo produtos que atendam às crescentes demandas do mercado. Confie na Semicera para suas soluções eletrônicas e fotovoltaicas de última geração.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||
