Substrato de Silício

Breve descrição:

Os substratos de silício Semicera são projetados com precisão para aplicações de alto desempenho na fabricação de eletrônicos e semicondutores. Com pureza e uniformidade excepcionais, esses substratos são projetados para suportar processos tecnológicos avançados. Semicera garante qualidade e confiabilidade consistentes para seus projetos mais exigentes.


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Os substratos de silício Semicera são elaborados para atender às rigorosas demandas da indústria de semicondutores, oferecendo qualidade e precisão incomparáveis. Esses substratos fornecem uma base confiável para diversas aplicações, desde circuitos integrados até células fotovoltaicas, garantindo ótimo desempenho e longevidade.

A alta pureza dos substratos de silício Semicera garante defeitos mínimos e características elétricas superiores, que são essenciais para a produção de componentes eletrônicos de alta eficiência. Este nível de pureza ajuda a reduzir a perda de energia e a melhorar a eficiência geral dos dispositivos semicondutores.

Semicera emprega técnicas de fabricação de última geração para produzir substratos de silício com uniformidade e planicidade excepcionais. Essa precisão é essencial para alcançar resultados consistentes na fabricação de semicondutores, onde mesmo a menor variação pode afetar o desempenho e o rendimento do dispositivo.

Disponível em uma variedade de tamanhos e especificações, os substratos de silício Semicera atendem a uma ampla gama de necessidades industriais. Esteja você desenvolvendo microprocessadores ou painéis solares de última geração, esses substratos fornecem a flexibilidade e a confiabilidade necessárias para sua aplicação específica.

A Semicera se dedica a apoiar a inovação e a eficiência na indústria de semicondutores. Ao fornecer substratos de silício de alta qualidade, permitimos que os fabricantes ultrapassem os limites da tecnologia, fornecendo produtos que atendam às crescentes demandas do mercado. Confie na Semicera para suas soluções eletrônicas e fotovoltaicas de última geração.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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