Silício em wafers isolantes

Breve descrição:

Os wafers Silicon-on-Insulator da Semicera fornecem soluções de alto desempenho para aplicações avançadas de semicondutores. Idealmente adequados para MEMS, sensores e microeletrônica, esses wafers fornecem excelente isolamento elétrico e baixa capacitância parasita. Semicera garante fabricação de precisão, proporcionando qualidade consistente para uma gama de tecnologias inovadoras. Esperamos ser seu parceiro de longo prazo na China.


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Silício em wafers isolantesda Semicera são projetados para atender à crescente demanda por soluções de semicondutores de alto desempenho. Nossos wafers SOI oferecem desempenho elétrico superior e capacitância reduzida de dispositivos parasitas, tornando-os ideais para aplicações avançadas, como dispositivos MEMS, sensores e circuitos integrados. A expertise da Semicera na produção de wafer garante que cadaBolacha SOIfornece resultados confiáveis ​​e de alta qualidade para suas necessidades de tecnologia de próxima geração.

NossoSilício em wafers isolantesoferecem um equilíbrio ideal entre custo-benefício e desempenho. Com o custo dos wafers soi se tornando cada vez mais competitivos, esses wafers são amplamente utilizados em uma variedade de indústrias, incluindo microeletrônica e optoeletrônica. O processo de produção de alta precisão da Semicera garante união e uniformidade superiores dos wafers, tornando-os adequados para uma variedade de aplicações, desde wafers de cavidade SOI até wafers de silício padrão.

Principais recursos:

Wafers SOI de alta qualidade otimizados para desempenho em MEMS e outras aplicações.

Custo competitivo do wafer soi para empresas que buscam soluções avançadas sem comprometer a qualidade.

Ideal para tecnologias de ponta, oferecendo isolamento elétrico aprimorado e eficiência em silício em sistemas isoladores.

NossoSilício em wafers isolantessão projetados para fornecer soluções de alto desempenho, apoiando a próxima onda de inovação em tecnologia de semicondutores. Esteja você trabalhando em cárieBolachas SOI, dispositivos MEMS ou silício em componentes isolantes, a Semicera fornece wafers que atendem aos mais altos padrões do setor.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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