Silício em wafers isolantesda Semicera são projetados para atender à crescente demanda por soluções de semicondutores de alto desempenho. Nossos wafers SOI oferecem desempenho elétrico superior e capacitância reduzida de dispositivos parasitas, tornando-os ideais para aplicações avançadas, como dispositivos MEMS, sensores e circuitos integrados. A expertise da Semicera na produção de wafer garante que cadaBolacha SOIfornece resultados confiáveis e de alta qualidade para suas necessidades de tecnologia de próxima geração.
NossoSilício em wafers isolantesoferecem um equilíbrio ideal entre custo-benefício e desempenho. Com o custo dos wafers soi se tornando cada vez mais competitivos, esses wafers são amplamente utilizados em uma variedade de indústrias, incluindo microeletrônica e optoeletrônica. O processo de produção de alta precisão da Semicera garante união e uniformidade superiores dos wafers, tornando-os adequados para uma variedade de aplicações, desde wafers de cavidade SOI até wafers de silício padrão.
Principais recursos:
•Wafers SOI de alta qualidade otimizados para desempenho em MEMS e outras aplicações.
•Custo competitivo do wafer soi para empresas que buscam soluções avançadas sem comprometer a qualidade.
•Ideal para tecnologias de ponta, oferecendo isolamento elétrico aprimorado e eficiência em silício em sistemas isoladores.
NossoSilício em wafers isolantessão projetados para fornecer soluções de alto desempenho, apoiando a próxima onda de inovação em tecnologia de semicondutores. Esteja você trabalhando em cárieBolachas SOI, dispositivos MEMS ou silício em componentes isolantes, a Semicera fornece wafers que atendem aos mais altos padrões do setor.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |