O substrato cerâmico de nitreto de silício da Semicera representa o auge da tecnologia avançada de materiais, fornecendo condutividade térmica excepcional e propriedades mecânicas robustas. Projetado para aplicações de alto desempenho, esse substrato se destaca em ambientes que exigem gerenciamento térmico confiável e integridade estrutural.
Nossos substratos cerâmicos de nitreto de silício são projetados para suportar temperaturas extremas e condições adversas, tornando-os ideais para dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência. A sua condutividade térmica superior garante uma dissipação de calor eficiente, o que é crucial para manter o desempenho e a longevidade dos componentes eletrónicos.
O compromisso da Semicera com a qualidade é evidente em cada substrato cerâmico de nitreto de silício que produzimos. Cada substrato é fabricado usando processos de última geração para garantir desempenho consistente e defeitos mínimos. Esse alto nível de precisão atende às rigorosas demandas de setores como automotivo, aeroespacial e telecomunicações.
Além dos benefícios térmicos e mecânicos, nossos substratos oferecem excelentes propriedades de isolamento elétrico, que contribuem para a confiabilidade geral dos seus dispositivos eletrônicos. Ao reduzir a interferência elétrica e melhorar a estabilidade dos componentes, os substratos cerâmicos de nitreto de silício da Semicera desempenham um papel crucial na otimização do desempenho do dispositivo.
Escolher o Substrato Cerâmico de Nitreto de Silício da Semicera significa investir em um produto que oferece alto desempenho e durabilidade. Nossos substratos são projetados para atender às necessidades de aplicações eletrônicas avançadas, garantindo que seus dispositivos se beneficiem de tecnologia de materiais de ponta e confiabilidade excepcional.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |