Substrato Cerâmico de Nitreto de Silício

Breve descrição:

O substrato cerâmico de nitreto de silício da Semicera oferece excelente condutividade térmica e alta resistência mecânica para aplicações eletrônicas exigentes. Projetados para oferecer confiabilidade e eficiência, esses substratos são ideais para dispositivos de alta potência e alta frequência. Confie na Semicera para desempenho superior em tecnologia de substrato cerâmico.


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O substrato cerâmico de nitreto de silício da Semicera representa o auge da tecnologia avançada de materiais, fornecendo condutividade térmica excepcional e propriedades mecânicas robustas. Projetado para aplicações de alto desempenho, esse substrato se destaca em ambientes que exigem gerenciamento térmico confiável e integridade estrutural.

Nossos substratos cerâmicos de nitreto de silício são projetados para suportar temperaturas extremas e condições adversas, tornando-os ideais para dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência. A sua condutividade térmica superior garante uma dissipação de calor eficiente, o que é crucial para manter o desempenho e a longevidade dos componentes eletrónicos.

O compromisso da Semicera com a qualidade é evidente em cada substrato cerâmico de nitreto de silício que produzimos. Cada substrato é fabricado usando processos de última geração para garantir desempenho consistente e defeitos mínimos. Esse alto nível de precisão atende às rigorosas demandas de setores como automotivo, aeroespacial e telecomunicações.

Além dos benefícios térmicos e mecânicos, nossos substratos oferecem excelentes propriedades de isolamento elétrico, que contribuem para a confiabilidade geral dos seus dispositivos eletrônicos. Ao reduzir a interferência elétrica e melhorar a estabilidade dos componentes, os substratos cerâmicos de nitreto de silício da Semicera desempenham um papel crucial na otimização do desempenho do dispositivo.

Escolher o Substrato Cerâmico de Nitreto de Silício da Semicera significa investir em um produto que oferece alto desempenho e durabilidade. Nossos substratos são projetados para atender às necessidades de aplicações eletrônicas avançadas, garantindo que seus dispositivos se beneficiem de tecnologia de materiais de ponta e confiabilidade excepcional.

Unid

Produção

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5 mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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