Visão geral do produto
OPá e transportador de wafer de carboneto de silício impregnado de silício (SiC)foi projetado para atender aos exigentes requisitos de aplicações de processamento térmico de semicondutores. Fabricado a partir de SiC de alta pureza e aprimorado através de impregnação de silício, este produto oferece uma combinação única de desempenho em altas temperaturas, excelente condutividade térmica, resistência à corrosão e excelente resistência mecânica.
Ao integrar ciência avançada de materiais com fabricação de precisão, esta solução garante desempenho, confiabilidade e durabilidade superiores para fabricantes de semicondutores.
Principais recursos
1.Resistência excepcional a altas temperaturas
Com um ponto de fusão superior a 2700°C, os materiais de SiC são inerentemente estáveis sob calor extremo. A impregnação de silicone aumenta ainda mais a sua estabilidade térmica, permitindo-lhes resistir à exposição prolongada a altas temperaturas sem enfraquecimento estrutural ou degradação do desempenho.
2.Condutividade Térmica Superior
A excepcional condutividade térmica do SiC impregnado de silício garante uma distribuição uniforme do calor, reduzindo o estresse térmico durante as etapas críticas do processamento. Esta propriedade prolonga a vida útil do equipamento e minimiza o tempo de inatividade da produção, tornando-o ideal para processamento térmico em alta temperatura.
3.Resistência à oxidação e corrosão
Uma robusta camada de óxido de silício se forma naturalmente na superfície, proporcionando excelente resistência à oxidação e corrosão. Isto garante confiabilidade de longo prazo em ambientes operacionais adversos, protegendo tanto o material quanto os componentes adjacentes.
4.Alta resistência mecânica e resistência ao desgaste
O SiC impregnado de silício apresenta excelente resistência à compressão e resistência ao desgaste, mantendo sua integridade estrutural sob condições de alta carga e alta temperatura. Isto reduz o risco de danos relacionados com o desgaste, garantindo um desempenho consistente durante ciclos de utilização prolongados.
Especificações
| Nome do produto | SC-RSiC-Si |
| Material | Compacto de carboneto de silício com impregnação de silício (alta pureza) |
| Aplicativos | Peças de tratamento térmico de semicondutores, peças de equipamentos de fabricação de semicondutores |
| Formulário de entrega | Corpo moldado (corpo sinterizado) |
| Composição | Propriedade Mecânica | Módulo de Young (GPa) | Força de flexão (MPa) | ||
| Composição (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densidade aparente (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200ºC | 340 | 220 | |
| Temperatura resistente ao calor°C | 1350 | Razão de Poisson | 0,18 (TR) | ||
| Propriedade Térmica | Condutividade Térmica (W/(m· K)) | Capacidade Específica de Calor (kJ/(kg·K)) | Coeficiente de Expansão Térmica (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | TA~700°C | 3,4x10-6 | |
| 700ºC | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3x10-6 | |
| Conteúdo de impurezas ((ppm) | |||||||||||||
| Elemento | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Taxa de conteúdo | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Aplicativos
▪Processamento térmico de semicondutores:Ideal para processos como deposição química de vapor (CVD), crescimento epitaxial e recozimento, onde o controle preciso da temperatura e a durabilidade do material são essenciais.
▪Portadores e pás de wafer:Projetado para segurar e transportar wafers com segurança durante tratamentos térmicos de alta temperatura.
▪Ambientes operacionais extremos: Adequado para ambientes que exigem resistência ao calor, exposição química e estresse mecânico.
Vantagens do SiC impregnado de silício
A combinação de carboneto de silício de alta pureza e tecnologia avançada de impregnação de silício oferece benefícios de desempenho incomparáveis:
▪Precisão:Melhora a precisão e o controle do processamento de semicondutores.
▪Estabilidade:Suporta ambientes agressivos sem comprometer a funcionalidade.
▪Longevidade:Prolonga a vida útil dos equipamentos de fabricação de semicondutores.
▪Eficiência:Melhora a produtividade garantindo resultados confiáveis e consistentes.
Por que escolher nossas soluções de SiC impregnado de silício?
At Semícera, nos especializamos em fornecer soluções de alto desempenho adaptadas às necessidades dos fabricantes de semicondutores. Nossa pá de carboneto de silício impregnado de silício e nosso transportador de wafer passam por testes rigorosos e garantia de qualidade para atender aos padrões da indústria. Ao escolher a Semicera, você obtém acesso a materiais de última geração projetados para otimizar seus processos de fabricação e aprimorar suas capacidades de produção.
Especificações Técnicas
▪Composição de materiais:Carboneto de silício de alta pureza com impregnação de silício.
▪Faixa de temperatura operacional:Até 2700°C.
▪ Condutividade Térmica:Excepcionalmente alto para distribuição uniforme de calor.
▪Propriedades de resistência:Oxidação, corrosão e resistente ao desgaste.
▪Aplicações:Compatível com vários sistemas de processamento térmico de semicondutores.
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