O Filme de Silício da Semicera é um material de alta qualidade projetado com precisão, projetado para atender aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Fabricada a partir de silício puro, esta solução de película fina oferece excelente uniformidade, alta pureza e propriedades elétricas e térmicas excepcionais. É ideal para uso em diversas aplicações de semicondutores, incluindo a produção de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi-Wafer. O Filme de Silício da Semicera garante desempenho confiável e consistente, tornando-o um material essencial para microeletrônica avançada.
Qualidade e desempenho superiores para fabricação de semicondutores
O filme de silício da Semicera é conhecido por sua excelente resistência mecânica, alta estabilidade térmica e baixas taxas de defeitos, fatores cruciais na fabricação de semicondutores de alto desempenho. Quer seja usado na produção de dispositivos de óxido de gálio (Ga2O3), AlN Wafer ou Epi-Wafers, o filme fornece uma base sólida para a deposição de filmes finos e crescimento epitaxial. Sua compatibilidade com outros substratos semicondutores, como substrato de SiC e wafers SOI, garante integração perfeita aos processos de fabricação existentes, ajudando a manter altos rendimentos e qualidade consistente do produto.
Aplicações na Indústria de Semicondutores
Na indústria de semicondutores, o filme de silício da Semicera é utilizado em uma ampla gama de aplicações, desde a produção de Si Wafer e SOI Wafer até usos mais especializados, como SiN Substrate e criação de Epi-Wafer. A alta pureza e precisão deste filme o tornam essencial na produção de componentes avançados utilizados em tudo, desde microprocessadores e circuitos integrados até dispositivos optoeletrônicos.
O filme de silício desempenha um papel crítico em processos semicondutores, como crescimento epitaxial, ligação de wafer e deposição de filme fino. Suas propriedades confiáveis são especialmente valiosas para indústrias que exigem ambientes altamente controlados, como salas limpas em fábricas de semicondutores. Além disso, o filme de silicone pode ser integrado em sistemas de cassetes para manuseio e transporte eficiente de wafers durante a produção.
Confiabilidade e consistência a longo prazo
Um dos principais benefícios do uso do filme de silício da Semicera é sua confiabilidade a longo prazo. Com excelente durabilidade e qualidade consistente, este filme oferece uma solução confiável para ambientes de produção de alto volume. Quer seja usado em dispositivos semicondutores de alta precisão ou em aplicações eletrônicas avançadas, o filme de silício da Semicera garante que os fabricantes possam alcançar alto desempenho e confiabilidade em uma ampla gama de produtos.
Por que escolher o filme de silicone da Semicera?
O Filme de Silício da Semicera é um material essencial para aplicações de ponta na indústria de semicondutores. Suas propriedades de alto desempenho, incluindo excelente estabilidade térmica, alta pureza e resistência mecânica, fazem dele a escolha ideal para fabricantes que buscam atingir os mais altos padrões na produção de semicondutores. Desde Si Wafer e Substrato SiC até a produção de dispositivos de óxido de gálio Ga2O3, este filme oferece qualidade e desempenho incomparáveis.
Com o Silicon Film da Semicera, você pode confiar em um produto que atende às necessidades da fabricação moderna de semicondutores, fornecendo uma base confiável para a próxima geração de eletrônicos.
| Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
| Parâmetros de Cristal | |||
| Politipo | 4H | ||
| Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parâmetros Elétricos | |||
| Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
| Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Parâmetros Mecânicos | |||
| Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
| Grossura | 350±25 μm | ||
| Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
| Comprimento plano primário | 47,5±1,5 mm | ||
| Apartamento secundário | Nenhum | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Estrutura | |||
| Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualidade frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
| Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
| Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
| Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
| Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
| Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
| Qualidade traseira | |||
| Acabamento traseiro | CMP face C | ||
| Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
| Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
| Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
| Borda | |||
| Borda | Chanfro | ||
| Embalagem | |||
| Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
| *Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. | |||





