Filme de Silício

Breve descrição:

O Filme de Silício da Semicera é um material de alto desempenho projetado para uma variedade de aplicações avançadas nas indústrias de semicondutores e eletrônica. Feito de silício de alta qualidade, este filme oferece uniformidade, estabilidade térmica e propriedades elétricas excepcionais, tornando-o uma solução ideal para deposição de filmes finos, MEMS (sistemas microeletromecânicos) e fabricação de dispositivos semicondutores.


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O Filme de Silício da Semicera é um material de alta qualidade projetado com precisão, projetado para atender aos rigorosos requisitos da indústria de semicondutores. Fabricada a partir de silício puro, esta solução de película fina oferece excelente uniformidade, alta pureza e propriedades elétricas e térmicas excepcionais. É ideal para uso em diversas aplicações de semicondutores, incluindo a produção de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi-Wafer. O Filme de Silício da Semicera garante desempenho confiável e consistente, tornando-o um material essencial para microeletrônica avançada.

Qualidade e desempenho superiores para fabricação de semicondutores

O filme de silício da Semicera é conhecido por sua excelente resistência mecânica, alta estabilidade térmica e baixas taxas de defeitos, fatores cruciais na fabricação de semicondutores de alto desempenho. Quer seja usado na produção de dispositivos de óxido de gálio (Ga2O3), AlN Wafer ou Epi-Wafers, o filme fornece uma base sólida para a deposição de filmes finos e crescimento epitaxial. Sua compatibilidade com outros substratos semicondutores, como substrato de SiC e wafers SOI, garante integração perfeita aos processos de fabricação existentes, ajudando a manter altos rendimentos e qualidade consistente do produto.

Aplicações na Indústria de Semicondutores

Na indústria de semicondutores, o filme de silício da Semicera é utilizado em uma ampla gama de aplicações, desde a produção de Si Wafer e SOI Wafer até usos mais especializados, como SiN Substrate e criação de Epi-Wafer. A alta pureza e precisão deste filme o tornam essencial na produção de componentes avançados utilizados em tudo, desde microprocessadores e circuitos integrados até dispositivos optoeletrônicos.

O filme de silício desempenha um papel crítico em processos semicondutores, como crescimento epitaxial, ligação de wafer e deposição de filme fino. Suas propriedades confiáveis ​​são especialmente valiosas para indústrias que exigem ambientes altamente controlados, como salas limpas em fábricas de semicondutores. Além disso, o filme de silicone pode ser integrado em sistemas de cassetes para manuseio e transporte eficiente de wafers durante a produção.

Confiabilidade e consistência a longo prazo

Um dos principais benefícios do uso do filme de silício da Semicera é sua confiabilidade a longo prazo. Com excelente durabilidade e qualidade consistente, este filme oferece uma solução confiável para ambientes de produção de alto volume. Quer seja usado em dispositivos semicondutores de alta precisão ou em aplicações eletrônicas avançadas, o filme de silício da Semicera garante que os fabricantes possam alcançar alto desempenho e confiabilidade em uma ampla gama de produtos.

Por que escolher o filme de silicone da Semicera?

O Filme de Silício da Semicera é um material essencial para aplicações de ponta na indústria de semicondutores. Suas propriedades de alto desempenho, incluindo excelente estabilidade térmica, alta pureza e resistência mecânica, fazem dele a escolha ideal para fabricantes que buscam atingir os mais altos padrões na produção de semicondutores. Desde Si Wafer e Substrato SiC até a produção de dispositivos de óxido de gálio Ga2O3, este filme oferece qualidade e desempenho incomparáveis.

Com o Silicon Film da Semicera, você pode confiar em um produto que atende às necessidades da fabricação moderna de semicondutores, fornecendo uma base confiável para a próxima geração de eletrônicos.

Unid

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Fictício

Parâmetros de Cristal

Politipo

4H

Erro de orientação de superfície

<11-20 >4±0,15°

Parâmetros Elétricos

Dopante

Nitrogênio tipo n

Resistividade

0,015-0,025ohm·cm

Parâmetros Mecânicos

Diâmetro

150,0±0,2 mm

Grossura

350±25 μm

Orientação plana primária

[1-100]±5°

Comprimento plano primário

47,5±1,5mm

Apartamento secundário

Nenhum

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arco

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urdidura

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosidade frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Estrutura

Densidade de microtubos

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

DBP

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualidade frontal

Frente

Si

Acabamento de superfície

CMP de face Si

Partículas

≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm)

NA

Arranhões

≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro

Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação

Nenhum

NA

Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas

Nenhum

Áreas politípicas

Nenhum

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcação a laser frontal

Nenhum

Qualidade traseira

Acabamento traseiro

CMP face C

Arranhões

≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro

NA

Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas)

Nenhum

Rugosidade nas costas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Marcação a laser traseira

1 mm (da borda superior)

Borda

Borda

Chanfro

Embalagem

Embalagem

Epi-pronto com embalagem a vácuo

Embalagem cassete multi-wafer

*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD.

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Bolachas de SiC

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