Pedestal de wafer de carboneto de silício

Breve descrição:

O pedestal de wafer de carboneto de silício da Semicera é uma plataforma de alto desempenho projetada para melhorar a eficiência dos processos de epitaxia e gravação. Como um componente-chave que suporta processos como Si Epitaxy e SiC Epitaxy, o produto da semicera pode manter excelente estabilidade e precisão sob condições extremas. Quer se trate de fabricação de silício monocristalino (silício monocristalino) ou GaN em SiC Epitaxy, o pedestal de wafer de carboneto de silício da semicera pode atender a várias necessidades de fabricação de semicondutores.

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Pedestal de wafer de carboneto de silícioé adequado para uma variedade de equipamentos importantes, comoSusceptor de MOCVD, Pancake Susceptor, RTP Carrier, etc., e também tem um bom desempenho emLED epitaxialsusceptores (LED Epitaxial Susceptor) e susceptores em barril (Barrel Susceptor). Os produtos da semicera também podem ser usados em ambientes de processos complexos, como peças fotovoltaicas, suportes de gravação PSS eGravura ICPTransportadoras para garantir uma produção eficiente e produtos acabados de alta qualidade.

O pedestal de wafer de carboneto de silício da Semicera utiliza materiais avançados e design inovador, especialmente em ambientes corrosivos e de alta temperatura. Ele pode efetivamente apoiarEpitaxia LED, energia fotovoltaica e outros processos complexos de fabricação de semicondutores, reduzem estresse e defeitos, garantem transferência e processamento estáveis de wafer e fornecem proteção confiável para processos de fabricação de alta precisão.

Se você precisa oferecer suporte a epitaxia, gravação ou outros processos de fabricação de ponta, o pedestal de wafer de carboneto de silício da semicera pode fornecer soluções excelentes. Com seu excelente desempenho emSi EpitaxiaeEpitaxia SiC, este produto é um componente chave para garantir a operação eficiente de processos de semicondutores.