Descrição
OSusceptores de wafer de carboneto de silício (SiC)para MOCVD de semicera são projetados para processos epitaxiais avançados, oferecendo desempenho superior tanto paraSi EpitaxiaeEpitaxia SiCaplicações. A abordagem inovadora da Semicera garante que esses susceptores sejam duráveis e eficientes, proporcionando estabilidade e precisão para operações críticas de fabricação.
Projetado para suportar as complexas necessidades deSusceptor de MOCVDsistemas, esses produtos são versáteis, compatíveis com operadoras como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier. A sua flexibilidade torna-os adequados para indústrias de alta tecnologia, incluindo aquelas que trabalham comLED EpitaxialSusceptor e Silício Monocristalino.
Com múltiplas configurações, incluindo Barrel Susceptor e Pancake Susceptor, esses susceptores wafer também são essenciais no setor fotovoltaico, apoiando a fabricação de peças fotovoltaicas. Para fabricantes de semicondutores, a capacidade de lidar com processos GaN em SiC Epitaxy torna esses susceptores altamente valiosos para garantir saída de alta qualidade em uma ampla gama de aplicações.
Principais recursos
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Tudo bemCristal SiC revestidopara uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc) | 3.21 |
Resistência à flexão | (Mpa) | 470 |
Expansão térmica | (10-6/K) | 4 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Embalagem e Envio
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
Quantidade (Peças) | 1-1000 | >1000 |
Husa. Tempo (dias) | 30 | A ser negociado |