Descrição
Nossa empresa forneceRevestimento de SiCprocessar serviços na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais pelo método CVD, de modo que gases especiais contendo carbono e silício possam reagir em alta temperatura para obter moléculas Sic de alta pureza, que podem ser depositadas na superfície de materiais revestidos para formar umCamada protetora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.
Principais recursos
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Principais especificações do revestimento CVD-SIC
| Propriedades SiC-CVD | ||
| Estrutura Cristalina | Fase β do FCC | |
| Densidade | g/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamanho do grão | μm | 2~10 |
| Pureza Química | % | 99.99995 |
| Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
| Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
| Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
