A SemíceraPá de wafer cantilever SiCfoi projetado para atender às demandas da fabricação moderna de semicondutores. Essepá de waferoferece excelente resistência mecânica e resistência térmica, o que é fundamental para o manuseio de wafers em ambientes de alta temperatura.
O design cantilever de SiC permite a colocação precisa do wafer, reduzindo o risco de danos durante o manuseio. Sua alta condutividade térmica garante que o wafer permaneça estável mesmo sob condições extremas, o que é fundamental para manter a eficiência da produção.
Além das vantagens estruturais, a SemiceraPá de wafer cantilever SiCtambém oferece vantagens em peso e durabilidade. A construção leve facilita o manuseio e a integração em sistemas existentes, enquanto o material SiC de alta densidade garante durabilidade sob condições exigentes.
Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
Propriedade | Valor típico |
Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
Conteúdo SiC | > 99,96% |
Conteúdo Si grátis | <0,1% |
Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
Porosidade aparente | <16% |
Força de compressão | > 600MPa |
Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
Módulo elástico | 240 GPa |
Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |