Epitaxia GaN baseada em silício

Descrição do produto

Nossa empresa forneceRevestimento de SiCserviços de processo pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, de modo que gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formandoCamada protetora SIC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.