Susceptor de grafite com transportador de wafer com revestimento de carboneto de silício

Breve descrição:

A Semicera oferece uma ampla gama de susceptores e componentes de grafite projetados para vários reatores de epitaxia.

Através de parcerias estratégicas com OEMs líderes do setor, ampla experiência em materiais e recursos avançados de fabricação, a Semicera oferece projetos personalizados para atender aos requisitos específicos de sua aplicação. Nosso compromisso com a excelência garante que você receba soluções ideais para suas necessidades de reatores epitaxiais.

 

 

 


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Descrição

O revestimento CVD-SiC possui características de estrutura uniforme, material compacto, resistência a altas temperaturas, resistência à oxidação, alta pureza, resistência a ácidos e álcalis e reagentes orgânicos, com propriedades físicas e químicas estáveis.
Em comparação com materiais de grafite de alta pureza, a grafite começa a oxidar a 400C, o que causará uma perda de pó devido à oxidação, resultando em poluição ambiental para dispositivos periféricos e câmaras de vácuo, e aumentando as impurezas do ambiente de alta pureza.
No entanto, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graus. É amplamente utilizado na indústria moderna, especialmente na indústria de semicondutores.

FDVCDV

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Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.

Aplicativo

Principais recursos

1. Grafite revestida com SiC de alta pureza

2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica

3. Cristal SiC fino revestido para uma superfície lisa

4. Alta durabilidade contra limpeza química

Principais Especificações dos Revestimentos CVD-SIC

SiC-CVD
Densidade (g/cc) 3.21
Resistência à flexão (Mpa) 470
Expansão térmica (10-6/K) 4
Condutividade térmica (W/mK) 300

Embalagem e Envio

Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:

Quantidade (Peças) 1 – 1000 >1000
Husa. Tempo (dias) 15 A ser negociado
Local de trabalho semicera
Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Nosso serviço

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