Disco de carboneto de silício para MOCVD

ODisco de carboneto de silíciopara MOCVD da semicera, uma solução de alto desempenho projetada para eficiência ideal em processos de crescimento epitaxial. O disco de carboneto de silício semicera oferece excepcional estabilidade térmica e precisão, tornando-o um componente essencial nos processos Si Epitaxy e SiC Epitaxy. Projetado para suportar altas temperaturas e condições exigentes de aplicações MOCVD, este disco garante desempenho confiável e longevidade.

Nosso disco de carboneto de silício é compatível com uma ampla variedade de configurações MOCVD, incluindoSusceptor de MOCVDsistemas e suporta processos avançados como GaN em SiC Epitaxy. Ele também se integra perfeitamente aos sistemas PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier e RTP Carrier, melhorando a precisão e a qualidade de sua produção. Quer seja usado para produção de silício monocristalino ou aplicações de susceptor epitaxial de LED, este disco garante resultados excepcionais.

Além disso, o disco de carboneto de silício da semicera é adaptável a várias configurações, incluindo configurações de Susceptor Pancake e Susceptor Barril, oferecendo flexibilidade em diversos ambientes de fabricação. A inclusão de Peças Fotovoltaicas amplia ainda mais sua aplicação às indústrias de energia solar, tornando-a um componente versátil e indispensável para as modernasepitaxialcrescimento e fabricação de semicondutores.