Descrição
Mantemos tolerâncias muito estreitas ao aplicar oRevestimento de SiC, usando usinagem de alta precisão para garantir um perfil susceptor uniforme. Também produzimos materiais com propriedades de resistência elétrica ideais para uso em sistemas aquecidos indutivamente. Todos os componentes acabados vêm com um certificado de pureza e conformidade dimensional.
Nossa empresa forneceRevestimento de SiCprocessar serviços pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, de modo que gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC. O SIC formado está firmemente ligado à base de grafite, conferindo à base de grafite propriedades especiais, tornando assim a superfície da grafite compacta, livre de porosidade, resistência a altas temperaturas, resistência à corrosão e resistência à oxidação.
O processo CVD oferece pureza extremamente alta e densidade teórica deRevestimento de SiCsem porosidade. Além do mais, como o carboneto de silício é muito duro, pode ser polido até obter uma superfície espelhada.Revestimento de carboneto de silício CVD (SiC)proporcionou diversas vantagens, incluindo superfície de pureza ultra-alta e durabilidade extremamente resistente ao desgaste. Como os produtos revestidos têm ótimo desempenho em condições de alto vácuo e alta temperatura, eles são ideais para aplicações na indústria de semicondutores e outros ambientes ultralimpos. Também fornecemos produtos de grafite pirolítica (PG).
Principais recursos
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Principais Especificações dos Revestimentos CVD-SIC
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc) | 3.21 |
Resistência à flexão | (Mpa) | 470 |
Expansão térmica | (10-6/K) | 4 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Aplicativo
O revestimento de carboneto de silício CVD já foi aplicado em indústrias de semicondutores, como bandeja MOCVD, RTP e câmara de gravação de óxido, uma vez que o nitreto de silício tem grande resistência ao choque térmico e pode suportar plasma de alta energia.
-O carboneto de silício é amplamente utilizado em semicondutores e revestimentos.
Aplicativo
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
Quantidade (Peças) | 1 – 1000 | >1000 |
Husa. Tempo (dias) | 30 | A ser negociado |