Susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD

Susceptores de base de grafite revestidos de SiCpara MOCVD de semicera são projetados para fornecer desempenho excepcional em processos de crescimento epitaxial. O revestimento de carboneto de silício de alta qualidade na base de grafite garante estabilidade, durabilidade e condutividade térmica ideal durante operações MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition). Ao usar a tecnologia inovadora de susceptores da semicera, você pode obter maior precisão e eficiência emSi EpitaxiaeEpitaxia SiCaplicações.

EssesSusceptores MOCVDsão projetados para suportar uma variedade de componentes semicondutores essenciais, comoPorta-Gravação PSS, Porta-gravação ICP, eOperadora RTP, tornando-os versáteis para diversas tarefas de gravação e epitaxiais. O compromisso da Semicera com padrões elevados garante que esses susceptores atendam às rigorosas demandas da produção moderna de semicondutores.

Ideal para uso emLED EpitaxialNos processos Susceptor, Barrel Susceptor e Silício Monocristalino, esses susceptores podem ser personalizados para diferentes tamanhos de wafer, incluindo configurações de Pancake Susceptor. Eles também são altamente eficazes no manuseio de peças fotovoltaicas, tornando-os um componente crucial no desenvolvimento de células solares eficientes.

Além disso, os susceptores de base de grafite revestidos de SiC para MOCVD são otimizados para GaN em SiC Epitaxy, oferecendo alta compatibilidade com materiais semicondutores avançados. Esteja você focado em melhorar os rendimentos ou melhorar a qualidade do crescimento epitaxial, os susceptores da semicera fornecem a confiabilidade e o desempenho necessários para o sucesso nas indústrias de alta tecnologia.