Descrição
O disco epitaxial de silício monocristalino revestido com SiC Semiconductor da semicera, uma solução de ponta projetada para processos avançados de crescimento epitaxial. A Semicera é especializada na produção de discos de alto desempenho que oferecem excelente condutividade térmica e durabilidade, ideais para aplicações emSi EpitaxiaeEpitaxia SiC. Este disco epitaxial, revestido com carboneto de silício (SiC), aumenta a eficiência e a precisão dos processos de fabricação de semicondutores.
NossoSusceptor de MOCVDdisco epitaxial compatível garante desempenho consistente em várias configurações, incluindo sistemas que exigem PSS Etching Carrier,Gravura ICPOperadora e Operadora RTP. Este disco foi projetado para atender às altas demandas de produção de silício monocristalino, tornando-o adequado para aplicações de susceptor epitaxial de LED e outros processos de crescimento de semicondutores. Os designs Barrel Susceptor e Pancake Susceptor oferecem versatilidade aos fabricantes, enquanto o uso de peças fotovoltaicas estende sua aplicação à indústria solar.
Com sua construção robusta, os recursos GaN on SiC Epitaxy deste disco aumentam ainda mais seu valor para sistemas epitaxiais avançados. Esta solução foi projetada para fornecer resultados confiáveis e de alta qualidade, tornando-a um componente essencial para a fabricação moderna de semicondutores e fotovoltaicos.
Principais recursos
1. Grafite revestida com SiC de alta pureza
2. Resistência superior ao calor e uniformidade térmica
3. Tudo bemCristal SiC revestidopara uma superfície lisa
4. Alta durabilidade contra limpeza química
Principais especificações dos revestimentos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidade | (g/cc) | 3.21 |
Resistência à flexão | (Mpa) | 470 |
Expansão térmica | (10-6/K) | 4 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
Embalagem e Envio
Capacidade de fornecimento:
10.000 peças/peças por mês
Embalagem e entrega:
Embalagem: embalagem padrão e forte
Saco poli + caixa + caixa + palete
Porta:
Ningbo/Shenzhen/Xangai
Tempo de espera:
Quantidade (Peças) | 1-1000 | >1000 |
Husa. Tempo (dias) | 30 | A ser negociado |