Descrição
Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC.
Principais características
1. Resistência à oxidação em alta temperatura:
a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.
2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.
3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
Principais especificações do revestimento CVD-SIC
Propriedades SiC-CVD | ||
Estrutura de cristal | Fase β do FCC | |
Densidade | g/cm³ | 3.21 |
Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
Tamanho de grão | μm | 2~10 |
Pureza Química | % | 99.99995 |
Capacidade de calor | J·kg-1·K-1 | 640 |
Temperatura de Sublimação | ℃ | 2700 |
Força Felexural | MPa (TR 4 pontos) | 415 |
Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C) | 430 |
Expansão Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
Condutividade térmica | (W/mK) | 300 |
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![Máquina de equipamento](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
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