Carbeto de silício a granel CVD (SiC)
Visão geral:DCVcarboneto de silício a granel (SiC)é um material muito procurado em equipamentos de gravação de plasma, aplicações de processamento térmico rápido (RTP) e outros processos de fabricação de semicondutores. Suas excepcionais propriedades mecânicas, químicas e térmicas o tornam um material ideal para aplicações de tecnologia avançada que exigem alta precisão e durabilidade.
Aplicações de CVD Bulk SiC:O SiC a granel é crucial na indústria de semicondutores, especialmente em sistemas de gravação de plasma, onde componentes como anéis de foco, chuveiros a gás, anéis de borda e placas se beneficiam da excelente resistência à corrosão e condutividade térmica do SiC. Seu uso se estende atéRTPsistemas devido à capacidade do SiC de suportar rápidas flutuações de temperatura sem degradação significativa.
Além do equipamento de gravação, CVDSiC a granelé favorecido em fornos de difusão e processos de crescimento de cristais, onde são necessárias alta estabilidade térmica e resistência a ambientes químicos agressivos. Esses atributos fazem do SiC o material preferido para aplicações de alta demanda envolvendo altas temperaturas e gases corrosivos, como aqueles que contêm cloro e flúor.
Vantagens dos componentes CVD Bulk SiC:
•Alta densidade:Com densidade de 3,2 g/cm³,SiC em massa CVDos componentes são altamente resistentes ao desgaste e ao impacto mecânico.
•Condutividade Térmica Superior:Oferecendo condutividade térmica de 300 W/m·K, o SiC a granel gerencia o calor com eficiência, tornando-o ideal para componentes expostos a ciclos térmicos extremos.
•Resistência Química Excepcional:A baixa reatividade do SiC com gases de ataque, incluindo cloro e produtos químicos à base de flúor, garante vida útil prolongada do componente.
•Resistividade ajustável: SiCs a granel CVDa resistividade pode ser personalizada na faixa de 10⁻²–10⁴ Ω-cm, tornando-a adaptável às necessidades específicas de gravação e fabricação de semicondutores.
•Coeficiente de Expansão Térmica:Com um coeficiente de expansão térmica de 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), o SiC a granel CVD resiste ao choque térmico, mantendo a estabilidade dimensional mesmo durante ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento.
•Durabilidade no Plasma:A exposição a plasma e gases reativos é inevitável em processos de semicondutores, masSiC em massa CVDoferece resistência superior à corrosão e degradação, reduzindo a frequência de substituição e os custos gerais de manutenção.
Especificações Técnicas:
•Diâmetro:Maior que 305mm
•Resistividade:Ajustável entre 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densidade:3,2g/cm³
•Condutividade Térmica:300 W/m·K
•Coeficiente de Expansão Térmica:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalização e flexibilidade:NoSemicondutor Semicera, entendemos que cada aplicação de semicondutores pode exigir especificações diferentes. É por isso que nossos componentes CVD de SiC a granel são totalmente personalizáveis, com resistividade ajustável e dimensões personalizadas para atender às necessidades do seu equipamento. Esteja você otimizando seus sistemas de gravação a plasma ou procurando componentes duráveis em processos RTP ou de difusão, nosso SiC a granel CVD oferece desempenho incomparável.
