Semíceratem o prazer de oferecerCassete PFA, uma escolha premium para manuseio de wafers em ambientes onde a resistência química e a durabilidade são fundamentais. Fabricado com material perfluoroalcóxi (PFA) de alta pureza, este cassete foi projetado para suportar as condições mais exigentes na fabricação de semicondutores, garantindo a segurança e a integridade de seus wafers.
Resistência Química InigualávelOCassete PFAfoi projetado para fornecer resistência superior a uma ampla gama de produtos químicos, tornando-o a escolha perfeita para processos que envolvem ácidos agressivos, solventes e outros produtos químicos agressivos. Esta robusta resistência química garante que a cassete permaneça intacta e funcional mesmo nos ambientes mais corrosivos, prolongando assim a sua vida útil e reduzindo a necessidade de substituições frequentes.
Construção de alta purezade SemíceraCassete PFAé fabricado com material PFA ultrapuro, que é fundamental para prevenir a contaminação durante o processamento do wafer. Essa construção de alta pureza minimiza o risco de geração de partículas e lixiviação química, garantindo que seus wafers estejam protegidos contra impurezas que possam comprometer sua qualidade.
Maior durabilidade e desempenhoProjetado para durabilidade, oCassete PFAmantém sua integridade estrutural sob temperaturas extremas e condições de processamento rigorosas. Quer seja exposto a altas temperaturas ou sujeito a manuseamento repetido, este cassete mantém a sua forma e desempenho, oferecendo fiabilidade a longo prazo em ambientes de produção exigentes.
Engenharia de Precisão para Manuseio SeguroOCassete Semicera PFAapresenta engenharia precisa que garante um manuseio seguro e estável do wafer. Cada slot é cuidadosamente projetado para manter os wafers firmemente no lugar, evitando qualquer movimento ou deslocamento que possa resultar em danos. Essa engenharia de precisão oferece suporte ao posicionamento consistente e preciso dos wafers, contribuindo para a eficiência geral do processo.
Aplicação versátil em todos os processosGraças às suas propriedades materiais superiores, oCassete PFAé versátil o suficiente para ser usado em vários estágios de fabricação de semicondutores. É particularmente adequado para corrosão úmida, deposição química de vapor (CVD) e outros processos que envolvem ambientes químicos agressivos. Sua adaptabilidade o torna uma ferramenta essencial para manter a integridade do processo e a qualidade do wafer.
Compromisso com a Qualidade e InovaçãoNa Semicera, temos o compromisso de fornecer produtos que atendam aos mais altos padrões da indústria. OCassete PFAexemplifica esse compromisso, oferecendo uma solução confiável que se integra perfeitamente aos seus processos de fabricação. Cada cassete passa por um rigoroso controle de qualidade para garantir que atenda aos nossos rigorosos critérios de desempenho, proporcionando a excelência que você espera da Semicera.
Unid | Produção | Pesquisar | Fictício |
Parâmetros de Cristal | |||
Politipo | 4H | ||
Erro de orientação de superfície | <11-20 >4±0,15° | ||
Parâmetros Elétricos | |||
Dopante | Nitrogênio tipo n | ||
Resistividade | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Parâmetros Mecânicos | |||
Diâmetro | 150,0±0,2 mm | ||
Grossura | 350±25 μm | ||
Orientação plana primária | [1-100]±5° | ||
Comprimento plano primário | 47,5±1,5mm | ||
Apartamento secundário | Nenhum | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arco | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urdidura | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosidade frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Estrutura | |||
Densidade de microtubos | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
DBP | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualidade frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabamento de superfície | CMP de face Si | ||
Partículas | ≤60ea/wafer (tamanho≥0,3μm) | NA | |
Arranhões | ≤5ea/mm. Comprimento cumulativo ≤Diâmetro | Comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA |
Casca de laranja/caroços/manchas/estrias/rachaduras/contaminação | Nenhum | NA | |
Lascas/reentrâncias/fraturas/placas sextavadas nas bordas | Nenhum | ||
Áreas politípicas | Nenhum | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcação a laser frontal | Nenhum | ||
Qualidade traseira | |||
Acabamento traseiro | CMP face C | ||
Arranhões | ≤5ea/mm, comprimento cumulativo≤2*Diâmetro | NA | |
Defeitos traseiros (lascas/recortes nas bordas) | Nenhum | ||
Rugosidade nas costas | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Marcação a laser traseira | 1 mm (da borda superior) | ||
Borda | |||
Borda | Chanfro | ||
Embalagem | |||
Embalagem | Epi-pronto com embalagem a vácuo Embalagem cassete multi-wafer | ||
*Observações: "NA" significa sem solicitação. Itens não mencionados podem referir-se ao SEMI-STD. |