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A estabilidade térmica dos componentes de quartzo na indústria de semicondutores
Introdução Na indústria de semicondutores, a estabilidade térmica é de extrema importância para garantir a operação confiável e eficiente de componentes críticos. O quartzo, uma forma cristalina de dióxido de silício (SiO2), ganhou reconhecimento significativo por suas excepcionais propriedades de estabilidade térmica. T...Leia mais -
Resistência à corrosão de revestimentos de carboneto de tântalo na indústria de semicondutores
Título: Resistência à corrosão de revestimentos de carboneto de tântalo na indústria de semicondutores Introdução Na indústria de semicondutores, a corrosão representa um desafio significativo para a longevidade e o desempenho de componentes críticos. Os revestimentos de carboneto de tântalo (TaC) surgiram como uma solução promissora...Leia mais -
Como medir a resistência da folha de um filme fino?
Todos os filmes finos usados na fabricação de semicondutores têm resistência, e a resistência do filme tem um impacto direto no desempenho do dispositivo. Normalmente não medimos a resistência absoluta do filme, mas utilizamos a resistência da folha para caracterizá-la. O que são resistência de folha e resistência de volume...Leia mais -
A aplicação do revestimento de carboneto de silício CVD pode melhorar efetivamente a vida útil dos componentes?
O revestimento de carboneto de silício CVD é uma tecnologia que forma uma película fina na superfície dos componentes, o que pode fazer com que os componentes tenham melhor resistência ao desgaste, resistência à corrosão, resistência a altas temperaturas e outras propriedades. Essas excelentes propriedades tornam os revestimentos de carboneto de silício CVD amplamente utilizados...Leia mais -
Os revestimentos de carboneto de silício CVD possuem excelentes propriedades de amortecimento?
Sim, os revestimentos de carboneto de silício CVD possuem excelentes propriedades de amortecimento. O amortecimento refere-se à capacidade de um objeto de dissipar energia e reduzir a amplitude da vibração quando é sujeito a vibração ou impacto. Em muitas aplicações, as propriedades de amortecimento são muito importantes...Leia mais -
Semicondutor de carboneto de silício: um futuro eficiente e ecologicamente correto
No campo dos materiais semicondutores, o carboneto de silício (SiC) emergiu como um candidato promissor para a próxima geração de semicondutores eficientes e ecológicos. Com suas propriedades e potencial únicos, os semicondutores de carboneto de silício estão abrindo caminho para uma...Leia mais -
Perspectivas de aplicação de barcos wafer de carboneto de silício no campo de semicondutores
No campo dos semicondutores, a seleção do material é crítica para o desempenho do dispositivo e o desenvolvimento do processo. Nos últimos anos, as pastilhas de carboneto de silício, como material emergente, têm atraído ampla atenção e têm mostrado grande potencial para aplicação no campo dos semicondutores. Silício...Leia mais -
Perspectivas de aplicação da cerâmica de carboneto de silício na área de energia solar fotovoltaica
Nos últimos anos, à medida que a procura global por energias renováveis aumentou, a energia solar fotovoltaica tornou-se cada vez mais importante como uma opção de energia limpa e sustentável. No desenvolvimento da tecnologia fotovoltaica, a ciência dos materiais desempenha um papel crucial. Entre elas, a cerâmica de carboneto de silício,...Leia mais -
Método de preparação de peças comuns de grafite revestidas com TaC
Método PART/1CVD (deposição química de vapor): Em 900-2300 ℃, usando TaCl5 e CnHm como fontes de tântalo e carbono, H₂ como atmosfera redutora, gás de arraste Ar₂as, filme de deposição de reação. O revestimento preparado é compacto, uniforme e de alta pureza. No entanto, existem alguns proble...Leia mais -
Aplicação de peças de grafite revestidas com TaC
PARTE/1 O cadinho, o porta-sementes e o anel guia no forno de cristal único SiC e AIN foram cultivados pelo método PVT Como mostrado na Figura 2 [1], quando o método de transporte físico de vapor (PVT) é usado para preparar SiC, o cristal semente está em a região de temperatura relativamente baixa, o SiC r...Leia mais -
Estrutura e tecnologia de crescimento de carboneto de silício (Ⅱ)
Quarto, Método físico de transferência de vapor O método de transporte físico de vapor (PVT) originou-se da tecnologia de sublimação de fase de vapor inventada por Lely em 1955. O pó de SiC é colocado em um tubo de grafite e aquecido a alta temperatura para decompor e sublimar o pó de SiC.Leia mais -
Estrutura e tecnologia de crescimento de carboneto de silício (Ⅰ)
Primeiro, a estrutura e as propriedades do cristal SiC. SiC é um composto binário formado pelo elemento Si e pelo elemento C na proporção de 1:1, ou seja, 50% de silício (Si) e 50% de carbono (C), e sua unidade estrutural básica é o tetraedro SI-C. Diagrama esquemático do tetraedro de carboneto de silício...Leia mais