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Quais são os parâmetros importantes do SiC?
O carboneto de silício (SiC) é um importante material semicondutor de banda larga amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência. A seguir estão alguns parâmetros-chave de wafers de carboneto de silício e suas explicações detalhadas: Parâmetros de rede: Certifique-se de que...Leia mais -
Por que o silício monocristalino precisa ser laminado?
Laminação refere-se ao processo de retificação do diâmetro externo de uma haste de cristal único de silício em uma haste de cristal único com o diâmetro necessário usando um rebolo de diamante e retificação de uma superfície de referência de borda plana ou ranhura de posicionamento da haste de cristal único. A superfície do diâmetro externo ...Leia mais -
Processos para produção de pós de SiC de alta qualidade
O carboneto de silício (SiC) é um composto inorgânico conhecido por suas propriedades excepcionais. O SiC de ocorrência natural, conhecido como moissanita, é bastante raro. Em aplicações industriais, o carboneto de silício é produzido predominantemente através de métodos sintéticos. Na Semicera Semiconductor, utilizamos técnicas avançadas...Leia mais -
Controle da uniformidade da resistividade radial durante a extração de cristais
As principais razões que afetam a uniformidade da resistividade radial dos cristais únicos são o nivelamento da interface sólido-líquido e o efeito do pequeno plano durante o crescimento do cristal A influência do nivelamento da interface sólido-líquido Durante o crescimento do cristal, se o fundido for agitado uniformemente , o...Leia mais -
Por que o forno de cristal único de campo magnético pode melhorar a qualidade do monocristal
Como o cadinho é usado como recipiente e há convecção em seu interior, à medida que o tamanho do cristal único gerado aumenta, a convecção de calor e a uniformidade do gradiente de temperatura tornam-se mais difíceis de controlar. Ao adicionar um campo magnético para fazer com que o derretimento condutivo atue na força de Lorentz, a convecção pode ser...Leia mais -
Crescimento rápido de monocristais de SiC usando fonte em massa CVD-SiC por método de sublimação
Crescimento rápido de cristal único de SiC usando fonte em massa CVD-SiC por meio do método de sublimação Ao usar blocos CVD-SiC reciclados como fonte de SiC, os cristais de SiC foram cultivados com sucesso a uma taxa de 1,46 mm/h através do método PVT. O microtubo do cristal crescido e as densidades de deslocamento indicam que...Leia mais -
Conteúdo otimizado e traduzido em equipamentos de crescimento epitaxial de carboneto de silício
Os substratos de carboneto de silício (SiC) apresentam numerosos defeitos que impedem o processamento direto. Para criar wafers de chip, um filme monocristalino específico deve ser cultivado no substrato de SiC por meio de um processo epitaxial. Este filme é conhecido como camada epitaxial. Quase todos os dispositivos SiC são realizados em epitaxial...Leia mais -
O papel crucial e os casos de aplicação de susceptores de grafite revestidos de SiC na fabricação de semicondutores
A Semicera Semiconductor planeja aumentar globalmente a produção de componentes essenciais para equipamentos de fabricação de semicondutores. Até 2027, pretendemos estabelecer uma nova fábrica de 20.000 metros quadrados com um investimento total de 70 milhões de dólares. Um de nossos componentes principais, o transportador de wafer de carboneto de silício (SiC)...Leia mais -
Por que precisamos fazer epitaxia em substratos de pastilhas de silício?
Na cadeia da indústria de semicondutores, especialmente na cadeia da indústria de semicondutores de terceira geração (semicondutores de banda larga), existem substratos e camadas epitaxiais. Qual é o significado da camada epitaxial? Qual é a diferença entre o substrato e o substrato? O substrato...Leia mais -
Processo de fabricação de semicondutores – Tecnologia Etch
Centenas de processos são necessários para transformar um wafer em um semicondutor. Um dos processos mais importantes é a gravação - isto é, esculpir padrões de circuitos finos no wafer. O sucesso do processo de gravação depende do gerenciamento de diversas variáveis dentro de uma faixa de distribuição definida, e cada gravação...Leia mais -
Material ideal para anéis de foco em equipamentos de gravação a plasma: carboneto de silício (SiC)
Nos equipamentos de gravação a plasma, os componentes cerâmicos desempenham um papel crucial, incluindo o anel de foco. O anel de foco, colocado ao redor do wafer e em contato direto com ele, é essencial para focar o plasma no wafer aplicando tensão ao anel. Isso melhora a in...Leia mais -
Efeito do processamento de cristal único de carboneto de silício na qualidade da superfície do wafer
Os dispositivos de potência semicondutores ocupam uma posição central nos sistemas eletrônicos de potência, especialmente no contexto do rápido desenvolvimento de tecnologias como inteligência artificial, comunicações 5G e novos veículos energéticos, os requisitos de desempenho para eles têm sido ...Leia mais