-
Ontem, o Conselho de Inovação Científica e Tecnológica emitiu um anúncio de que a Huazhuo Precision Technology encerrou seu IPO!
Acaba de anunciar a entrega do primeiro equipamento de recozimento a laser SIC de 8 polegadas na China, que também é tecnologia da Tsinghua; Por que eles próprios retiraram os materiais? Apenas algumas palavras: Primeiro, os produtos são muito diversos! À primeira vista, não sei o que eles fazem. Atualmente, H...Leia mais -
Revestimento de carboneto de silício CVD-2
Revestimento de carboneto de silício CVD 1. Por que existe um revestimento de carboneto de silício A camada epitaxial é uma película fina de cristal único específica cultivada com base no wafer através do processo epitaxial. O wafer de substrato e o filme fino epitaxial são chamados coletivamente de wafers epitaxiais. Entre eles, o...Leia mais -
Processo de preparação do revestimento SIC
Atualmente, os métodos de preparação do revestimento de SiC incluem principalmente o método gel-sol, método de incorporação, método de revestimento com pincel, método de pulverização de plasma, método de reação química de vapor (CVR) e método de deposição química de vapor (CVD). Método de incorporaçãoEste método é um tipo de fase sólida de alta temperatura ...Leia mais -
Revestimento de carboneto de silício CVD-1
O que é CVD SiC A deposição química por vapor (CVD) é um processo de deposição a vácuo usado para produzir materiais sólidos de alta pureza. Este processo é frequentemente usado na área de fabricação de semicondutores para formar filmes finos na superfície de wafers. No processo de preparação de SiC por CVD, o substrato é explorado...Leia mais -
Análise da estrutura de discordância em cristal de SiC por simulação de traçado de raios auxiliada por imagens topológicas de raios X
Fundo de pesquisa Importância da aplicação do carboneto de silício (SiC): Como um material semicondutor de amplo bandgap, o carboneto de silício tem atraído muita atenção devido às suas excelentes propriedades elétricas (como maior bandgap, maior velocidade de saturação de elétrons e condutividade térmica). Esses adereços...Leia mais -
Processo de preparação de cristal de semente no crescimento de cristal único de SiC 3
Verificação de crescimentoOs cristais de semente de carboneto de silício (SiC) foram preparados seguindo o processo descrito e validados através do crescimento de cristais de SiC. A plataforma de crescimento utilizada foi um forno de crescimento por indução de SiC autodesenvolvido com temperatura de crescimento de 2.200 ℃, pressão de crescimento de 200 Pa e velocidade de crescimento.Leia mais -
Processo de preparação de cristal de semente no crescimento de cristal único de SiC (parte 2)
2. Processo Experimental 2.1 Cura do Filme Adesivo Foi observado que a criação direta de um filme de carbono ou a ligação com papel grafite em wafers de SiC revestidos com adesivo levou a vários problemas: 1. Sob condições de vácuo, o filme adesivo em wafers de SiC desenvolveu uma aparência semelhante a escamas devido para assinar...Leia mais -
Processo de preparação de cristal de semente em crescimento de cristal único de SiC
O material de carboneto de silício (SiC) tem as vantagens de um amplo bandgap, alta condutividade térmica, alta intensidade de campo de ruptura crítica e alta velocidade de deriva de elétrons saturados, tornando-o altamente promissor no campo de fabricação de semicondutores. Os monocristais de SiC são geralmente produzidos atrav...Leia mais -
Quais são os métodos de polimento de wafer?
De todos os processos envolvidos na criação de um chip, o destino final do wafer é ser cortado em matrizes individuais e embalado em pequenas caixas fechadas com apenas alguns pinos expostos. O chip será avaliado com base em seus valores de limite, resistência, corrente e tensão, mas ninguém irá considerar...Leia mais -
A introdução básica do processo de crescimento epitaxial de SiC
A camada epitaxial é um filme específico de cristal único cultivado no wafer pelo processo epitaxial, e o wafer do substrato e o filme epitaxial são chamados de wafer epitaxial. Ao crescer a camada epitaxial de carboneto de silício no substrato condutor de carboneto de silício, o epitaxial homogêneo de carboneto de silício ...Leia mais -
Pontos-chave do controle de qualidade do processo de embalagem de semicondutores
Pontos-chave para controle de qualidade no processo de embalagem de semicondutores Atualmente, a tecnologia de processo para embalagem de semicondutores melhorou e otimizou significativamente. No entanto, de uma perspectiva geral, os processos e métodos para embalagens de semicondutores ainda não atingiram a perfeição.Leia mais -
Desafios no processo de embalagem de semicondutores
As técnicas atuais para embalagens de semicondutores estão melhorando gradualmente, mas a medida em que equipamentos e tecnologias automatizados são adotados nas embalagens de semicondutores determina diretamente a realização dos resultados esperados. Os processos existentes de embalagem de semicondutores ainda sofrem...Leia mais