Quais são as principais etapas do processamento de substratos de SiC?

As etapas de produção e processamento para substratos de SiC são as seguintes:

1. Orientação do cristal: Usando difração de raios X para orientar o lingote de cristal.Quando um feixe de raios X é direcionado para a face desejada do cristal, o ângulo do feixe difratado determina a orientação do cristal.

2. Moagem de diâmetro externo: Os monocristais cultivados em cadinhos de grafite geralmente excedem os diâmetros padrão.A retificação do diâmetro externo os reduz a tamanhos padrão.

Retificação da face final: substratos 4H-SiC de 4 polegadas normalmente têm duas bordas de posicionamento, primária e secundária.A retificação da face final abre essas bordas de posicionamento.

3. Serragem com fio: A serragem com fio é uma etapa crucial no processamento de substratos 4H-SiC.Rachaduras e danos subterrâneos causados ​​durante o corte com fio impactam negativamente os processos subsequentes, prolongando o tempo de processamento e causando perda de material.O método mais comum é o corte multifio com abrasivo diamantado.Um movimento alternativo de fios metálicos ligados com abrasivos de diamante é usado para cortar o lingote de 4H-SiC.

4. Chanframento: Para evitar lascas nas bordas e reduzir perdas de consumíveis durante os processos subsequentes, as arestas vivas dos cavacos serrados com fio são chanfradas em formatos especificados.

5. Desbaste: O corte com fio deixa muitos arranhões e danos na superfície.O desbaste é feito com discos diamantados para remover ao máximo esses defeitos.

6. Desbaste: Este processo inclui desbaste e desbaste fino usando carboneto de boro de tamanho menor ou abrasivos de diamante para remover danos residuais e novos danos introduzidos durante o desbaste.

7. Polimento: As etapas finais envolvem polimento bruto e polimento fino usando abrasivos de alumina ou óxido de silício.O líquido de polimento amolece a superfície, que é então removida mecanicamente por abrasivos.Esta etapa garante uma superfície lisa e sem danos.

8. Limpeza: Remoção de partículas, metais, filmes de óxidos, resíduos orgânicos e outros contaminantes remanescentes das etapas de processamento.