Processos para produção de pós de SiC de alta qualidade

Carboneto de silício (SiC)é um composto inorgânico conhecido por suas propriedades excepcionais. O SiC de ocorrência natural, conhecido como moissanita, é bastante raro. Em aplicações industriais,carboneto de silícioé predominantemente produzido através de métodos sintéticos.
Na Semicera Semiconductor, utilizamos técnicas avançadas para fabricarpós de SiC de alta qualidade.

Nossos métodos incluem:
Método Acheson:Este processo tradicional de redução carbotérmica envolve a mistura de areia de quartzo de alta pureza ou minério de quartzo triturado com coque de petróleo, grafite ou pó de antracito. Esta mistura é então aquecida a temperaturas superiores a 2.000°C usando um eletrodo de grafite, resultando na síntese do pó de α-SiC.
Redução carbotérmica de baixa temperatura:Combinando pó fino de sílica com pó de carbono e conduzindo a reação de 1.500 a 1.800°C, produzimos pó β-SiC com pureza aprimorada. Esta técnica, semelhante ao método Acheson, mas a temperaturas mais baixas, produz β-SiC com uma estrutura cristalina distinta. No entanto, é necessário pós-processamento para remover carbono residual e dióxido de silício.
Reação direta silício-carbono:Este método envolve a reação direta do pó de silício metálico com pó de carbono a 1000-1400°C para produzir pó β-SiC de alta pureza. O pó de α-SiC continua sendo uma matéria-prima essencial para cerâmicas de carboneto de silício, enquanto o β-SiC, com sua estrutura semelhante ao diamante, é ideal para aplicações de retificação e polimento de precisão.
O carboneto de silício exibe duas formas cristalinas principais:α e β. O β-SiC, com seu sistema de cristal cúbico, apresenta uma rede cúbica de face centrada para silício e carbono. Em contraste, o α-SiC inclui vários politipos, como 4H, 15R e 6H, sendo 6H o mais comumente usado na indústria. A temperatura afeta a estabilidade desses politipos: o β-SiC é estável abaixo de 1600°C, mas acima dessa temperatura, ele transita gradualmente para os politipos α-SiC. Por exemplo, o 4H-SiC se forma em torno de 2.000°C, enquanto os politipos 15R e 6H requerem temperaturas acima de 2.100°C. Notavelmente, o 6H-SiC permanece estável mesmo em temperaturas superiores a 2.200°C.

Na Semicera Semiconductor, nos dedicamos ao avanço da tecnologia SiC. Nossa experiência emRevestimento de SiCe materiais garantem qualidade e desempenho de alto nível para suas aplicações de semicondutores. Explore como nossas soluções de ponta podem aprimorar seus processos e produtos.