Processo de preparação do revestimento SIC

Atualmente, os métodos de preparação deRevestimento de SiCincluem principalmente método gel-sol, método de incorporação, método de revestimento com pincel, método de pulverização de plasma, método de reação química de vapor (CVR) e método de deposição química de vapor (CVD).

Método de incorporação
Este método é um tipo de sinterização em fase sólida de alta temperatura, que usa principalmente pó de Si e pó C como pó de incorporação, coloca omatriz de grafiteno pó de incorporação e sinteriza em alta temperatura em gás inerte e finalmente obtémRevestimento de SiCna superfície da matriz de grafite. Este método é simples no processo, e o revestimento e a matriz estão bem ligados, mas a uniformidade do revestimento ao longo da direção da espessura é baixa e é fácil produzir mais furos, resultando em baixa resistência à oxidação.

Método de revestimento com pincel
O método de revestimento com escova escova principalmente a matéria-prima líquida na superfície da matriz de grafite e, em seguida, solidifica a matéria-prima a uma determinada temperatura para preparar o revestimento. Este método é simples no processo e de baixo custo, mas o revestimento preparado pelo método de revestimento com pincel tem uma ligação fraca com a matriz, baixa uniformidade do revestimento, revestimento fino e baixa resistência à oxidação, e requer outros métodos para auxiliar.

Método de pulverização de plasma
O método de pulverização de plasma usa principalmente uma pistola de plasma para pulverizar matérias-primas fundidas ou semi-fundidas na superfície do substrato de grafite e, em seguida, solidifica e se liga para formar um revestimento. Este método é simples de operar e pode preparar uma massa relativamente densarevestimento de carboneto de silício, mas orevestimento de carboneto de silíciopreparado por este método é muitas vezes muito fraco para ter forte resistência à oxidação, por isso é geralmente usado para preparar revestimentos compostos de SiC para melhorar a qualidade do revestimento.

Método gel-sol
O método gel-sol prepara principalmente uma solução de sol uniforme e transparente para cobrir a superfície do substrato, seca-a em um gel e depois sinteriza-a para obter um revestimento. Este método é simples de operar e tem baixo custo, mas o revestimento preparado apresenta desvantagens como baixa resistência ao choque térmico e fácil fissuração, não podendo ser amplamente utilizado.

Método de reação química de vapor (CVR)
O CVR gera principalmente vapor de SiO usando pó de Si e SiO2 em alta temperatura, e uma série de reações químicas ocorrem na superfície do substrato do material C para gerar o revestimento de SiC. O revestimento de SiC preparado por este método está firmemente ligado ao substrato, mas a temperatura de reação é alta e o custo também é alto.