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Processo de fabricação de semicondutores – Tecnologia Etch
Centenas de processos são necessários para transformar um wafer em um semicondutor. Um dos processos mais importantes é a gravação - isto é, esculpir padrões de circuitos finos no wafer. O sucesso do processo de gravação depende do gerenciamento de diversas variáveis dentro de uma faixa de distribuição definida, e cada gravação...Leia mais -
Material ideal para anéis de foco em equipamentos de gravação a plasma: carboneto de silício (SiC)
Nos equipamentos de gravação a plasma, os componentes cerâmicos desempenham um papel crucial, incluindo o anel de foco. O anel de foco, colocado ao redor do wafer e em contato direto com ele, é essencial para focar o plasma no wafer aplicando tensão ao anel. Isso melhora a in...Leia mais -
Front End of Line (FEOL): Estabelecendo a Fundação
A parte frontal da linha de produção é como lançar os alicerces e construir as paredes de uma casa. Na fabricação de semicondutores, esta etapa envolve a criação de estruturas básicas e transistores em um wafer de silício. Principais etapas do FEOL: ...Leia mais -
Efeito do processamento de cristal único de carboneto de silício na qualidade da superfície do wafer
Os dispositivos de potência semicondutores ocupam uma posição central nos sistemas eletrônicos de potência, especialmente no contexto do rápido desenvolvimento de tecnologias como inteligência artificial, comunicações 5G e novos veículos energéticos, os requisitos de desempenho para eles têm sido ...Leia mais -
Material principal essencial para o crescimento de SiC: revestimento de carboneto de tântalo
Atualmente, a terceira geração de semicondutores é dominada pelo carboneto de silício. Na estrutura de custos de seus dispositivos, o substrato responde por 47% e a epitaxia por 23%. Os dois juntos respondem por cerca de 70%, que é a parte mais importante da fabricação de dispositivos de carboneto de silício...Leia mais -
Como os produtos revestidos com carboneto de tântalo aumentam a resistência à corrosão dos materiais?
O revestimento de carboneto de tântalo é uma tecnologia de tratamento de superfície comumente usada que pode melhorar significativamente a resistência à corrosão dos materiais. O revestimento de carboneto de tântalo pode ser fixado à superfície do substrato através de diferentes métodos de preparação, como deposição química de vapor,...Leia mais -
Ontem, o Conselho de Inovação Científica e Tecnológica emitiu um anúncio de que a Huazhuo Precision Technology encerrou seu IPO!
Acaba de anunciar a entrega do primeiro equipamento de recozimento a laser SIC de 8 polegadas na China, que também é tecnologia da Tsinghua; Por que eles próprios retiraram os materiais? Apenas algumas palavras: Primeiro, os produtos são muito diversos! À primeira vista, não sei o que eles fazem. Atualmente, H...Leia mais -
Revestimento de carboneto de silício CVD-2
Revestimento de carboneto de silício CVD 1. Por que existe um revestimento de carboneto de silício A camada epitaxial é uma película fina de cristal único específica cultivada com base no wafer através do processo epitaxial. O wafer de substrato e o filme fino epitaxial são chamados coletivamente de wafers epitaxiais. Entre eles, o...Leia mais -
Processo de preparação do revestimento SIC
Atualmente, os métodos de preparação do revestimento de SiC incluem principalmente o método gel-sol, método de incorporação, método de revestimento com escova, método de pulverização de plasma, método de reação química de vapor (CVR) e método de deposição química de vapor (CVD). Método de incorporaçãoEste método é um tipo de fase sólida de alta temperatura ...Leia mais -
Revestimento de carboneto de silício CVD-1
O que é CVD SiC A deposição química por vapor (CVD) é um processo de deposição a vácuo usado para produzir materiais sólidos de alta pureza. Este processo é frequentemente usado na área de fabricação de semicondutores para formar filmes finos na superfície de wafers. No processo de preparação de SiC por CVD, o substrato é explorado...Leia mais -
Análise da estrutura de discordância em cristal de SiC por simulação de traçado de raios auxiliada por imagens topológicas de raios X
Fundo de pesquisa Importância da aplicação do carboneto de silício (SiC): Como um material semicondutor de amplo bandgap, o carboneto de silício tem atraído muita atenção devido às suas excelentes propriedades elétricas (como maior bandgap, maior velocidade de saturação de elétrons e condutividade térmica). Esses adereços...Leia mais -
Processo de preparação de cristal de semente no crescimento de cristal único de SiC 3
Verificação de crescimentoOs cristais de semente de carboneto de silício (SiC) foram preparados seguindo o processo descrito e validados através do crescimento de cristais de SiC. A plataforma de crescimento utilizada foi um forno de crescimento por indução de SiC autodesenvolvido com temperatura de crescimento de 2.200 ℃, pressão de crescimento de 200 Pa e velocidade de crescimento.Leia mais