Aplicação de cerâmica de carboneto de silício no campo de semicondutores

Semicondutores:

A indústria de semicondutores segue a lei industrial de “uma geração de tecnologia, uma geração de processo e uma geração de equipamento”, e a atualização e iteração de equipamentos semicondutores depende em grande parte do avanço tecnológico de peças de precisão. Entre eles, as peças cerâmicas de precisão são os materiais de peças de precisão semicondutores mais representativos, que têm aplicações importantes em uma série de importantes elos de fabricação de semicondutores, como deposição química de vapor, deposição física de vapor, implantação de íons e gravação. Como rolamentos, trilhos-guia, revestimentos, mandris eletrostáticos, braços de movimentação mecânica, etc. Principalmente dentro da cavidade do equipamento, desempenha o papel de suporte, proteção e desvio.

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Desde 2023, os Países Baixos e o Japão também emitiram sucessivamente novos regulamentos ou decretos de comércio exterior sobre controle, acrescentando regulamentos de licença de exportação para equipamentos semicondutores, incluindo máquinas de litografia, e a tendência de antiglobalização de semicondutores emergiu gradualmente. A importância do controlo independente da cadeia de abastecimento tornou-se cada vez mais proeminente. Diante da demanda por localização de peças de equipamentos semicondutores, as empresas nacionais estão promovendo ativamente o desenvolvimento industrial. A Zhongci Electronics realizou a localização de peças de precisão de alta tecnologia, como placas de aquecimento e mandris eletrostáticos, resolvendo o problema de “gargalo” da indústria doméstica de equipamentos semicondutores; A Dezhi New Materials, fornecedora líder nacional de bases de grafite revestidas com SiC e anéis de gravação de SiC, concluiu com sucesso um financiamento de 100 milhões de yuans, etc.
Substratos cerâmicos de nitreto de silício de alta condutividade:

Os substratos cerâmicos de nitreto de silício são usados ​​principalmente em unidades de energia, dispositivos semicondutores e inversores de veículos elétricos puros (EVs) e veículos elétricos híbridos (HEVs), e têm enorme potencial de mercado e perspectivas de aplicação.

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Atualmente, os materiais de substrato cerâmico de nitreto de silício de alta condutividade térmica para aplicações comerciais requerem condutividade térmica ≥85 W/(m·K), resistência à flexão ≥650MPa e resistência à fratura 5~7MPa·m1/2. As empresas que realmente têm a capacidade de produzir em massa substratos cerâmicos de nitreto de silício de alta condutividade térmica são principalmente o Grupo Toshiba, a Hitachi Metals, a Japan Electric Chemical, a Japan Maruwa e a Japan Fine Ceramics.

A pesquisa nacional sobre materiais de substrato cerâmico de nitreto de silício também fez alguns progressos. A condutividade térmica do substrato cerâmico de nitreto de silício preparado pelo processo de fundição de fita da filial de Pequim da Sinoma High-Tech Nitride Ceramics Co., Ltd. é de 100 W/(m·K); preparou com sucesso um substrato cerâmico de nitreto de silício com uma resistência à flexão de 700-800MPa, uma resistência à fratura ≥8MPa·m1/2 e uma condutividade térmica ≥80W/(m·K) otimizando o método e o processo de sinterização.


Horário da postagem: 29 de outubro de 2024