Portador revestido SiC da grafite da vida útil longa para a bolacha solar

Portador revestido SiC longo da grafite da vida útil para a bolacha solar em destaque a imagem

Breve descrição:

O carboneto de silício é um novo tipo de cerâmica com alto desempenho de custo e excelentes propriedades de material. Devido a características como alta resistência e dureza, resistência a altas temperaturas, grande condutividade térmica e resistência à corrosão química, o carboneto de silício pode suportar quase todos os meios químicos. Portanto, o SiC é amplamente utilizado na mineração de petróleo, na indústria química, em máquinas e no espaço aéreo, até mesmo a energia nuclear e os militares têm suas demandas especiais no SIC. Algumas aplicações normais que podemos oferecer são anéis de vedação para bombas, válvulas e armaduras de proteção, etc.

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Detalhes do produto

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Vantagens

Resistência à oxidação em alta temperatura
Excelente resistência à corrosão
Boa resistência à abrasão
Alto coeficiente de condutividade térmica
Autolubricidade, baixa densidade
Alta dureza
Projeto personalizado.

Aplicativos

-Campo resistente ao desgaste: bucha, placa, bico de jato de areia, revestimento de ciclone, cilindro de moagem, etc...
-Campo de alta temperatura: laje sic, tubo de forno de têmpera, tubo radiante, cadinho, elemento de aquecimento, rolo, viga, trocador de calor, tubo de ar frio, bico de queimador, tubo de proteção de termopar, barco sic, estrutura de carro de forno, setter, etc.
-Semicondutor de carboneto de silício: barco wafer SiC, mandril sic, pá sic, cassete sic, tubo de difusão sic, garfo wafer, placa de sucção, guia, etc.
-Campo de vedação de carboneto de silício: todos os tipos de anel de vedação, rolamento, bucha, etc.
-Campo Fotovoltaico: Pá Cantilever, Tambor de Moagem, Rolo de Carboneto de Silício, etc.
-Campo de bateria de lítio

Hóstia (1)

Hóstia (2)

Propriedades físicas do SiC

Propriedade	Valor	Método
Densidade	3,21 g/cc	Flutuador e dimensão
Calor específico	0,66 J/g °K	Flash laser pulsado
Resistência à flexão	450MPa560MPa	Curvatura de 4 pontos, curvatura de ponto RT4, 1300°
Resistência à fratura	2,94MPa m1/2	Microindentação
Dureza	2800	Vicker's, carga de 500g
Módulo de elasticidadeMódulo de Young	450 GPa430 GPa	Curvatura de 4 pontos, curvatura RT4 pontos, 1300 °C
Tamanho do grão	2 – 10 µm	SEM

Propriedades térmicas do SiC

Condutividade Térmica	250 W/m °K	Método de flash laser, RT
Expansão Térmica (CTE)	4,5 x 10-6°K	Temperatura ambiente até 950 °C, dilatômetro de sílica

Parâmetros Técnicos

Item	Unidade	Dados
Item	Unidade	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Conteúdo SiC	%	85	75	99	99,9	≥99
Conteúdo de silício grátis	%	15	0	0	0	0
Temperatura máxima de serviço	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Densidade	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Porosidade aberta	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Resistência à flexão 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Resistência à flexão 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Módulo de elasticidade 20℃	GP	330	580	420	240	/
Módulo de elasticidade 1200℃	GP	300	/	/	200	/
Condutividade térmica 1200℃	C/mK	45	19.6	100-120	36,6	/
Coeficiente de expansão térmica	K^-1X10^-6	4,5	4.7	4.1	4,69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

O revestimento de carboneto de silício CVD na superfície externa de produtos cerâmicos de carboneto de silício recristalizado pode atingir uma pureza de mais de 99,9999% para atender às necessidades dos clientes da indústria de semicondutores.