Bolacha de ligação LiNbO3

Imagem em destaque do wafer de ligação LiNbO3

Breve descrição:

O cristal de niobato de lítio possui excelentes propriedades eletro-ópticas, acústico-ópticas, piezoelétricas e não lineares. O cristal de niobato de lítio é um importante cristal multifuncional com boas propriedades ópticas não lineares e um grande coeficiente óptico não linear; também pode obter correspondência de fase não crítica. Como cristal eletro-óptico, tem sido usado como um importante material de guia de ondas óptico; como um cristal piezoelétrico, pode ser usado para fazer filtros SAW de média e baixa frequência, transdutores ultrassônicos resistentes a altas temperaturas e alta potência, etc.

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O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para atender às altas demandas da fabricação avançada de semicondutores. Com suas propriedades excepcionais, incluindo resistência superior ao desgaste, alta estabilidade térmica e excelente pureza, esse wafer é ideal para uso em aplicações que exigem precisão e desempenho duradouro.

Na indústria de semicondutores, os wafers de ligação LiNbO3 são comumente usados para unir camadas finas em dispositivos optoeletrônicos, sensores e CIs avançados. Eles são particularmente valorizados em fotônica e MEMS (sistemas microeletromecânicos) devido às suas excelentes propriedades dielétricas e capacidade de suportar condições operacionais adversas. O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para suportar colagem precisa de camadas, melhorando o desempenho geral e a confiabilidade de dispositivos semicondutores.

Propriedades térmicas e elétricas do LiNbO3
Ponto de fusão	1250 ℃
Temperatura curie	1140 ℃
Condutividade térmica	38 W/m/K @ 25 ℃
Coeficiente de expansão térmica (@ 25°C)	//a，2,0×10^-6/K //c,2,2×10^-6/K
Resistividade	2x10^-6Ω·cm @ 200 ℃
Constante dielétrica	εS11/ε0=43,εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2
Constante piezoelétrica	D₂₂=2,04×10^-11C/N D₃₃=19,22×10^-11C/N
Coeficiente eletro-óptico	γT₃₃=32h/V, γS₃₃=31h/V, γT₃₁=22h/V, γS₃₁=20h6/V, γT₂₂=18,8 pm/V, γS₂₂=15h40/V,
Tensão de meia onda, CC Campo elétrico // z, luz ⊥ Z; Campo elétrico // x ou y, luz ⊥ z	3,03 quilovolts 4,02 quilovolts

Fabricado com materiais de alta qualidade, o Wafer de ligação LiNbO3 garante confiabilidade consistente mesmo sob condições extremas. Sua alta estabilidade térmica o torna particularmente adequado para ambientes que envolvem temperaturas elevadas, como aquelas encontradas em processos de epitaxia de semicondutores. Além disso, a alta pureza do wafer garante contaminação mínima, tornando-o uma escolha confiável para aplicações críticas de semicondutores.

Na Semicera, temos o compromisso de fornecer soluções líderes do setor. Nosso Wafer de ligação LiNbO3 oferece durabilidade incomparável e recursos de alto desempenho para aplicações que exigem alta pureza, resistência ao desgaste e estabilidade térmica. Seja para produção avançada de semicondutores ou outras tecnologias especializadas, este wafer serve como um componente essencial para a fabricação de dispositivos de ponta.