Bolacha de ligação LiNbO3

Breve descrição:

O cristal de niobato de lítio possui excelentes propriedades eletro-ópticas, acústico-ópticas, piezoelétricas e não lineares. O cristal de niobato de lítio é um importante cristal multifuncional com boas propriedades ópticas não lineares e um grande coeficiente óptico não linear; também pode obter correspondência de fase não crítica. Como cristal eletro-óptico, tem sido usado como um importante material de guia de ondas óptico; como um cristal piezoelétrico, pode ser usado para fazer filtros SAW de média e baixa frequência, transdutores ultrassônicos resistentes a altas temperaturas e alta potência, etc.


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O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para atender às altas demandas da fabricação avançada de semicondutores. Com suas propriedades excepcionais, incluindo resistência superior ao desgaste, alta estabilidade térmica e excelente pureza, esse wafer é ideal para uso em aplicações que exigem precisão e desempenho duradouro.

Na indústria de semicondutores, os wafers de ligação LiNbO3 são comumente usados ​​para unir camadas finas em dispositivos optoeletrônicos, sensores e CIs avançados. Eles são particularmente valorizados em fotônica e MEMS (sistemas microeletromecânicos) devido às suas excelentes propriedades dielétricas e capacidade de suportar condições operacionais adversas. O Wafer de ligação LiNbO3 da Semicera foi projetado para suportar ligação precisa de camadas, melhorando o desempenho geral e a confiabilidade de dispositivos semicondutores.

Propriedades térmicas e elétricas do LiNbO3
Ponto de fusão 1250 ℃
Temperatura curie 1140 ℃
Condutividade térmica 38 W/m/K @ 25 ℃
Coeficiente de expansão térmica (@ 25°C)

//a,2,0×10-6/K

//c,2,2×10-6/K

Resistividade 2x10-6Ω·cm @ 200 ℃
Constante dielétrica

εS11/ε0=43,εT11/ε0=78

εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2

Constante piezoelétrica

D22=2,04×10-11C/N

D33=19,22×10-11C/N

Coeficiente eletro-óptico

γT33=32h/V, γS33=31h/V,

γT31=22h/V, γS31=20h6/V,

γT22=18,8 pm/V, γS22=15h40/V,

Tensão de meia onda, CC
Campo elétrico // z, luz ⊥ Z;
Campo elétrico // x ou y, luz ⊥ z

3,03 quilovolts

4,02 quilovolts

Fabricado com materiais de alta qualidade, o Wafer de ligação LiNbO3 garante confiabilidade consistente mesmo sob condições extremas. Sua alta estabilidade térmica o torna particularmente adequado para ambientes que envolvem temperaturas elevadas, como aquelas encontradas em processos de epitaxia de semicondutores. Além disso, a alta pureza do wafer garante contaminação mínima, tornando-o uma escolha confiável para aplicações críticas de semicondutores.

Na Semicera, temos o compromisso de fornecer soluções líderes do setor. Nosso Wafer de ligação LiNbO3 oferece durabilidade incomparável e recursos de alto desempenho para aplicações que exigem alta pureza, resistência ao desgaste e estabilidade térmica. Seja para produção avançada de semicondutores ou outras tecnologias especializadas, este wafer serve como um componente essencial para a fabricação de dispositivos de ponta.

Local de trabalho semicera
Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
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