Substrato InP e CdTe

Breve descrição:

As soluções de substrato InP e CdTe da Semicera são projetadas para aplicações de alto desempenho nas indústrias de semicondutores e energia solar. Nossos substratos InP (Fosfeto de Índio) e CdTe (Telureto de Cádmio) oferecem propriedades materiais excepcionais, incluindo alta eficiência, excelente condutividade elétrica e estabilidade térmica robusta. Esses substratos são ideais para uso em dispositivos optoeletrônicos avançados, transistores de alta frequência e células solares de película fina, fornecendo uma base confiável para tecnologias de ponta.


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Com SemíceraSubstrato InP e CdTe, você pode esperar qualidade superior e engenharia de precisão para atender às necessidades específicas de seus processos de fabricação. Seja para aplicações fotovoltaicas ou dispositivos semicondutores, nossos substratos são criados para garantir desempenho, durabilidade e consistência ideais. Como fornecedor confiável, a Semicera está comprometida em fornecer soluções de substrato personalizáveis ​​e de alta qualidade que impulsionam a inovação nos setores de eletrônica e energia renovável.

Propriedades Cristalinas e Elétricas1

Tipo
Dopante
DEP(cm–2)(Veja abaixo A.)
Área DF(livre de defeitos)(cm2, Veja abaixo B.)
c/(ccm–3
Mobilidade(y cm2/Vs)
Resistividade (y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%.4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%.
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
nenhum
≦5×104
──────
≦1×1016
≧4×103
──────
1 Outras especificações estão disponíveis mediante solicitação.

A.13 Média de Pontos

1. As densidades das cavidades de corrosão por deslocamento são medidas em 13 pontos.

2. Calcula-se a média ponderada da área das densidades de discordância.

Medição de Área B.DF (Em Caso de Garantia de Área)

1. As densidades de ponto de gravação de deslocamento de 69 pontos mostradas à direita são contadas.

2. DF é definido como EPD inferior a 500 cm–2
3. A área máxima de DF medida por este método é de 17,25 cm2
Substrato InP e CdTe (2)
Substrato InP e CdTe (1)
Substrato InP e CdTe (3)

Especificações comuns dos substratos de cristal único InP

1. Orientação
Orientação da superfície (100)±0,2º ou (100)±0,05º
A orientação de superfície está disponível mediante solicitação.
Orientação do plano OF: (011)±1º ou (011)±0,1º IF: (011)±2º
OF clivado está disponível mediante solicitação.
2. A marcação a laser baseada no padrão SEMI está disponível.
3. Pacote individual, bem como pacote em gás N2 estão disponíveis.
4. Etch-and-pack em gás N2 está disponível.
5. Wafers retangulares estão disponíveis.
A especificação acima é do padrão JX.
Se outras especificações forem necessárias, consulte-nos.

Orientação

 

Substrato InP e CdTe (4)(1)
Local de trabalho semicera
Local de trabalho de Semicera 2
Máquina de equipamento
Processamento CNN, limpeza química, revestimento CVD
Armazém Semicera
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