Semicera apresenta semicondutores de alta qualidadepás cantilever de carboneto de silício, projetado para atender às rigorosas demandas da fabricação moderna de semicondutores.
Opá de carboneto de silícioapresenta um design avançado que minimiza a expansão térmica e empenamento, tornando-o altamente confiável em condições extremas. Sua construção robusta oferece maior durabilidade, reduzindo o risco de quebra ou desgaste, o que é fundamental para manter altos rendimentos e qualidade de produção consistente. Obarco de waferO design também se integra perfeitamente com equipamentos de processamento de semicondutores padrão, garantindo compatibilidade e facilidade de uso.
Uma das características de destaque do SemiceraRemo de SiCé a sua resistência química, que lhe permite um desempenho excepcional em ambientes expostos a gases corrosivos e produtos químicos. O foco da Semicera na customização permite soluções sob medida.
| Propriedades físicas do carboneto de silício recristalizado | |
| Propriedade | Valor típico |
| Temperatura de trabalho (°C) | 1600°C (com oxigênio), 1700°C (redução do ambiente) |
| Conteúdo SiC | > 99,96% |
| Conteúdo Si grátis | <0,1% |
| Densidade aparente | 2,60-2,70g/cm3 |
| Porosidade aparente | <16% |
| Força de compressão | > 600MPa |
| Resistência à flexão a frio | 80-90MPa (20°C) |
| Resistência à flexão a quente | 90-100MPa (1400°C) |
| Expansão térmica @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Condutividade térmica @1200°C | 23 W/m·K |
| Módulo elástico | 240 GPa |
| Resistência ao choque térmico | Extremamente bom |
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