Pó de SiC de alta pureza

Breve descrição:

O pó de SiC de alta pureza da Semicera possui teor excepcionalmente alto de carbono e silício, com níveis de pureza que variam de 4N a 6N. Com tamanhos de partículas de nanômetros a micrômetros, possui uma grande área de superfície específica. O pó de SiC da Semicera aumenta a reatividade, a dispersibilidade e a atividade superficial, ideal para aplicações de materiais avançados.

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Carboneto de silício (SiC)está rapidamente se tornando uma escolha preferida em relação ao silício para componentes eletrônicos, especialmente em aplicações de banda larga. O SiC oferece maior eficiência energética, tamanho compacto, peso reduzido e menores custos gerais do sistema.

 A demanda por pós de SiC de alta pureza nas indústrias eletrônica e de semicondutores levou a Semicera a desenvolver um produto superior de alta purezaSiC em pó. O método inovador da Semicera para produzir SiC de alta pureza resulta em pós que demonstram mudanças morfológicas mais suaves, consumo de material mais lento e interfaces de crescimento mais estáveis ​​em configurações de crescimento de cristais.

 Nosso pó de SiC de alta pureza está disponível em vários tamanhos e pode ser personalizado para atender às necessidades específicas do cliente. Para mais detalhes e para discutir seu projeto, entre em contato com a Semicera.

 

1. Faixa de tamanho de partícula:

Cobrindo escalas submicrométricas a milimétricas.

potência de carboneto de silício_Semicera-1
potência de carboneto de silício_Semicera-3
potência de carboneto de silício_Semicera-2
potência de carboneto de silício_Semicera-4

2. Pureza do Pó

pureza de potência de carboneto de silício_Semicera1
pureza de potência de carboneto de silício_Semicera2

Relatório de teste 4N

3.Cristais em pó

Cobrindo escalas submicrométricas a milimétricas.

potência de carboneto de silício_Semicera-5
potência de carboneto de silício_Semicera-6

4. Morfologia Microscópica

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4

5. Morfologia Macroscópica

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